Алтгу списки групп: Списки студентов первого курса по группам — Объявления — Новости

Содержание

Институты - Алтайский государственный университет

Институты - Алтайский государственный университет Институт биологии и биотехнологии В Институте биологии и биотехнологии АлтГУ работают опытные и квалифицированные преподаватели и ученые: профессора, доценты, которые обучают около 500 студентов дневного и заочного отделений на кафедрах ботаники, зоологии и физиологии, экологии, биохимии и биотехнологии, а также физико-химической биологии и биотехнологии. Институт географии Выпускники института работают в системе охраны природы и природопользования, высших учебных заведениях и научно-исследовательских институтах, проектных организациях, в сфере рекреационных услуг и туристического бизнеса, а также в школах города и края. Институт искусств и дизайна Институт искусств и дизайна – один из ведущих научно-образовательных центров Сибири, который специализируется в подготовке кадров по престижным и востребованным направлениям в области искусства и дизайна и развивается на основе партнерских связей с вузами стран Европы (Германия), Азии (Китай, Монголия, Казахстан), с Союзом художников России, Союзом дизайнеров России, Союзом архитекторов России.
Институт истории и международных отношений
Институт истории и международных отношений АлтГУ является одним из лидеров в сфере высшего классического исторического образования в России. Коллектив института стоял у истоков складывания системы высшего образования в Алтайском крае. Институт психологии Институт психологии открыт в 2003 году, но подготовка специалистов психологов ведется в АлтГУ с 1994 года. Все специальности и направления подготовки своевременно и успешно проходят процедуру государственной аккредитации.
Институт социальных наук
В институте ведется подготовка по направлениям «социология», «социальная работа», «организация работы с молодежью», направлению «конфликтология». Активная международная деятельность института нашла отражение в десятках совместных проектов и исследований, грантах научных фондов, регулярных поездках студентов и преподавателей на зарубежные конференции, симпозиумы и стажировки. МИЭМИС Институт осуществляет фундаментальную подготовку экономистов на основе сочетания общенаучных и специальных экономических дисциплин. За годы учебы студенты изучают специальные научные курсы: экономика предприятия и предпринимательства, экономика и социология труда, статистика, анализ хозяйственной деятельности, бухгалтерский учет, финансы и кредит. Институт цифровых технологий, электроники и физики Институт ведет подготовку по следующим естественно-научным и техническим направлениям: информатика и вычислительная техника, физика, радиофизика, информационная безопасность. По всем направлениями предоставляется возможность обучения в бакалавриате и затем – в магистратуре. Выпускники, планирующие заниматься научной работой, продолжают обучение в аспирантуре. Институт оснащен большим числом современных научно-учебных лабораторий и включает в себя несколько научных лабораторий, совместных с Институтами СО РАН. Преподавательский коллектив состоит из 9 профессоров, 40 доцентов и преподавателей.
Юридический институт
Юридический факультет готовит не только квалифицированных юристов-практиков, но также и научных работников. Уже в процессе обучения многие студенты устремляются в научно-исследовательскую деятельность: участвуют в конференциях, занимаются написанием научных работ, участвуют в деятельности Научного студенческого общества юридического факультета.

20 мая 2021 года на площадке Рубцовского института (филиала) АлтГУ состоится фестиваль социальных проектов и практик социально ориентированных некоммерческих организаций

Фестиваль социальных проектов и практик СО НКО Алтайского края пройдет в рамках реализации проекта «Формирование экосистемы профессионализации СО НКО Алтайского края «НКО: Профессионализм. Проектное мышление. Популяризация»» при поддержке фонда президентских грантов.

Организатор фестиваля - Алтайская региональная социально-ориентированная общественная организация «Продвижение».

На фестивале будут представлены лучшие социальные проекты и практики некоммерческих организаций Алтайского края по решению актуальных задач социального развития региона. Фестиваль станет площадкой содействия развитию социально ориентированных некоммерческих организаций, по выявлению, и тиражированию лучших проектов и практик, для активного и действенного участия некоммерческого сектора в улучшении социального климата в регионе, решения проблем уязвимых групп населения, укрепления профессиональных контактов участников социальной модернизации России, формирования «сети» лидеров и активистов добровольческого движения на территории Алтайского края.

Особое значение организаторы фестиваля придают популяризации деятельности социально-ориентированных некоммерческих организаций и добровольчества в целом, увеличению числа социально-активных людей, готовых участвовать в общественных проектах.

К участию в фестивале приглашаются субъекты некоммерческого сектора, благотворительные фонды, добровольческие и молодежные движения, общественные объединения, представители социально ответственного бизнеса, представители СМИ, гражданские активисты, инициативные группы Алтайского края.

Для вашего удобства зарегистрироваться на мероприятие можно пройти перейдя по ссылке – https://docs.google.com/forms/d/1-GZ6r6PO4U7Oc1mZA_RIKQ30kqABAMaKYky5Qhl...

Фестиваль пройдет на площадке Рубцовского института (филиала) АлтГУ по адресу: Алтайский край, город Рубцовск, пр-т Ленина, 243. По всем возникающим вопросам можно обратиться по телефону 8-913-270-04-99 (Савченко Юлия Юрьевна).

Гагу Горно Алтайск Списки Зачисленных - Объявления - Каталог статей

гагу горно алтайск списки зачисленных

Завершились 1С:Соревнования для студентов

Подводятся итоги проведения 1С:Соревнований для студентов. Компания «1С-Галэкс» занималась организацией региональных туров соревнований в трех регионах - в Алтайском крае, в Республике Алтай и Республике Тыве.

В этом году были организованы два соревнования из трёх – Олимпиада по программированию в «1С:Предприятии 8» и Конкурс по «1С:Бухгалтерии 8», в которых поучаствовали, в совокупности, студенты из девяти учебных заведений от Барнаула до Кызыла.

В региональном этапе Олимпиады по программированию в «1С:Предприятии 8» приняли участие 10 студентов вузов – Алтайского государственного университета, Алтайского государственного технического университета им. Ползунова и Горно-Алтайского государственного университета. Региональное жюри конкурса порекомендовало к участию в финальном туре трех студентов, представляющих АлтГТУ, которые показали достаточно высокие навыки программирования. По итогам проверки их работ в фирме «1С» они были зачислены фирмой в список финалистов и теперь имеют право побороться за победу в финале. Со организатором олимпиады в Республике Алтай стал Горно-Алтайский государственный университет.

Региональные этапы Конкурса по «1С:Бухгалтерии 8» оказались более в этом году более популярными среди студентов. В общей сложности, в них приняли участие 30 студентов с трех регионов из семи учебных заведений: Горно-Алтайского государственного университета, Тувинского государственного университета Горно-Алтайского государственного политехнического колледжа, Волчихинского политехнического колледжа, Тувинского сельскохозяйственного техникума, Кызылского транспортного техникума, Тувинского техникума предпринимательства. Региональное жюри конкурса порекомендовало к участию в финальном этапе пятерых студентов, но по итогам проверки в «1С» в списки финалистов были зачислены трое. Помощь в организации региональных этапов конкурса оказывали Горно-Алтайский государственный университет, Волчихинский политехнический колледж и Тувинский сельскохозяйственный техникум.

Финалы студенческих 1С:Соревнований прошли 28 марта в Москве Центре исследований, разработки и обучения фирмы «1С». Традиционно фирма 1С предоставила всем участникам финального тура поощрительные призы и подарки. По опыту прошлых лет, победителям финального тура присваивается квалификация 1С:Специалист по платформе «1С:Предприятие» и вручается сертификат. Компания «1С-Галэкс» верит в успех своих делегатов и уверена в том, что они оказали достойную конкуренцию участникам соревнований из других регионов!

*Компания «1С-Галэкс» - официальный региональный дистрибьютор фирмы «1С». Основные направления деятельности компании - продвижение на рынок программных продуктов мировых вендоров (1С, MS , Dr . Web , Corel и др.), а также их внедрение и сопровождение . www.1c-galex.ru

В рейтинге ВШЭ по качеству подготовки первокурсников АлтГТУ стоит на 136 месте, а АГАУ на 416

В рамках совместного проекта РИА Новости и НИУ-ВШЭ по заказу Общественной палаты РФ специалистами Высшей школы экономики был составлен сводный индекс качества подготовки студентов, зачисленных на первый курс государственных вузов на очную форму обучения.

Алтайский государственный технический университет. Фото: Олег Богданов.

По словам одного из координаторов проекта со стороны НИУ-ВШЭ Григория Андрущака, индекс построен на основании уже опубликованных показателей, оценивающих уровень подготовки студентов, зачисленных в вузы на бюджетные места и места с полным возмещением (коммерческие места). Кроме того, расчетная формула учитывает численность победителей и призеров олимпиад школьников (в том числе Всероссийской олимпиады школьников), поступивших в вузы в 2010 году (методика расчета сводного индекса). Как правило, победители школьных олимпиад – наиболее сильные, талантливые абитуриенты российских вузов.

Максимальный показатель индекса (123,9) у Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова. На втором месте расположился Национальный исследовательский университет – Высшая школа экономики (112,7), на третьем - Московский государственный технический университет имени Н.Э.Баумана (111,7).

В список ТОП-10 по уровню подготовки студентов, зачисленных на первый курс государственных вузов на очную форму обучения вошли 5 московских вузов, 3 – Санкт-Петербургских, а также Томский политехнический университет и Новосибирский государственный технический университет.

Основные алтайские вузы, попавшие в иссследовании ВШЭ, выглядят на фоне остальных участников рейтинга так:

  • АлтГТУ - 136 место,
  • АлтГУ - 149 место,
  • АГМУ - 196 место,
  • ГАГУ (Горно-Алтайск) - 277 место,
  • АГАО (Бийск) - 360 место,
  • АГПА - 369 место,
  • АГАУ - 416 место.

Всего в рейтинге представлено 476 вузов страны.

По мнению экспертов, работавших над индексом, показатели, введенные в него, оценивают все основные параметры, которые характеризуют качество приема в вуз: балл ЕГЭ поступивших на бюджетные и платные места, количество победителей олимпиад школьников в вузе. Безусловно, то качество, которые мы видим на входе в вуз, не означает качества на выходе, – говорит Г.Андрущак. – В идеале, оценивая реализацию образовательной функции, которую выполняет вуз, мы должны еще оценивать результаты обучения. Но на сегодняшний день, для России не существует универсального индикатора результатов обучения студентов. Поэтому мы пока вынуждены ограничиться только результатами приема .

Значительным плюсом рейтинговых исследований НИУ-ВШЭ, по мнению эксперта является то, что вся использующаяся в них информация открыта. Это один из принципиальных моментов нашего рейтинга. Любой пользователь рейтинга может сам перепроверить данные, опубликованные на открытых интернет-сайтах , - говорит Г.Андрущак.

Ознакомиться со сводным индексом качества подготовки студентов, зачисленных на первый курс государственных вузов на очную форму обучения, а также методикой его расчета можно на сайте РИА Новости .

Напомним. что осенью 2010 года Высшая школа экономики совместо проверила средний балл ЕГЭ абитуриентов, зачисленных в государственные ВУЗы страны и сотсавила соответствующий рейтинг, согласно которому наши вузы выглядели так:

  • АлтГУ (124 место, 62,8 балла),
  • АлтГТУ (175 место, 59,9 балла),
  • Горно-Алтайский госуниверситет (235 место, 57,3 балла),
  • Алтайская педакадемия (237 место, 57,2 балла),
  • Бийская педакадемия (247 место, 56,7 балла).

Top 100

государственного университета

________________В. Г.Бабин

«___15_»____11___ г.

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Горно-Алтайский государственный университет»

1 Общие положения

1.1 Настоящее Положение разработано в соответствии с Законом Российской Федерации «Об образовании», Федеральным законом «О высшем и послевузовском профессиональном образовании», «Типовым положением об образовательном учреждении высшего профессионального образования (высшем учебном заведении) Российской Федерации», Уставом университета.

1.2 Магистерская подготовка в Горно-Алтайском государственном университете (далее ГАГУ, университет) проводится по направлениям, определенным действующей лицензией на право ведения образовательной деятельности в сфере профессионального образования.

1.3 Обучение в магистратуре ГАГУ производится как в рамках бюджетного финансирования, предусмотренного законодательством РФ, так и на договорной основе, предусматривающей полную компенсацию обучаемым всех расходов на реализацию его индивидуальной магистерской программы.

2 Правила приема в магистратуру

2.1 В ГАГУ на обучение по программам магистратуры принимаются граждане Российской Федерации, лица без гражданства, соотечественники за рубежом, а также иностранные граждане.

2.2 Количество граждан, принимаемых на первый курс ГАГУ в магистратуру для обучения за счет средств федерального бюджета, и структура их приема определяются в пределах заданий (контрольных цифр), устанавливаемых ежегодно Министерством образования и науки Российской Федерации. Сверх установленных заданий (контрольных цифр) ГАГУ осуществляет дополнительный прием граждан для обучения на основе договоров с оплатой стоимости обучения юридическими и (или) физическими лицами. Количество мест дополнительного внебюджетного приема определяется Ученым советом ГАГУ в соответствии с лицензией на осуществление образовательной деятельности и согласуется c учредителем.

2.3 Прием в магистратуру осуществляется на конкретные магистерские программы на конкурсной основе в порядке зачисления лиц, имеющих диплом о высшем образовании. К ним относятся:

- лица, успешно завершившие в текущем учебном году обучение по программе бакалавриата или программе подготовки специалиста в ГАГУ или в других вузах России

- лица, отчисленные ранее из вуза по собственному желанию после получения ими квалификации и диплома бакалавра, прервавшие обучение в связи с началом трудовой деятельности или по другим уважительным причинам

- лица, поступающие в магистратуру на договорной (контрактной) основе с полным возмещением затрат на обучение, которые ранее получили образование по другой программе подготовки бакалавров, или имеющие диплом специалиста или диплом магистра, граждане иностранных государств, не проживающие постоянно в Российской Федерации, и лица, не прошедшие в магистратуру ГАГУ по конкурсу на бюджетные места.

На каждую из магистерских программ проводится отдельный конкурс на места, финансируемые из средств федерального бюджета, и отдельно на места с оплатой стоимости обучения на договорной (контрактной) основе.

2.4 Поступление на программы магистратуры лицами, имеющими, диплом магистра, рассматривается как получение второго высшего профессионального образования.

2.5 Прием документов от поступающих на программы магистратуры осуществляют отборочные приемные комиссии факультетов ГАГУ. Организацию и проведение вступительных испытаний в магистратуру осуществляют экзаменационные комиссии факультетов, входящих в структуру ГАГУ. Зачисление на программы магистратуры осуществляет приемная комиссия ГАГУ.

2.6 Прием в ГАГУ производится по личному заявлению граждан на основе результатов вступительных испытаний.

2.7 При подаче заявления о приеме в ГАГУ поступающий по своему усмотрению представляет оригинал или заверенную ксерокопию документов, удостоверяющих его личность, гражданство, оригинал или заверенную ксерокопию документа государственного образца об образовании и 6 фотографий размером 3х4 см.

2.8 Лица, имеющие особые права при поступлении в высшие учебные заведения, установленные законодательством Российской Федерации. представляют соответствующие документы при подаче заявления до окончания срока приема заявлений. После указанного срока документы не принимаются и претензии не рассматриваются. К заявлению о приеме могут быть также приложены документы, представление которых отвечает интересам самих абитуриентов (список научных трудов, наград и дипломов по профессиональной деятельности. сертификаты и др.). Приемная комиссия выдает абитуриенту расписку о приеме документов.

2.9 Поступающий в заявлении на имя ректора указывает только одну магистерскую программу по конкретной форме обучения. При этом поступающий вправе подать такое заявление одновременно на различные формы получения образования.

Размести свой сайт на хостинге AGAVA! Удобно и Просто!

2.10 Прием документов при поступлении на программы магистратуры производится с 20 июня по 25 июля.

2.11 При поступлении на программы магистратуры абитуриенты проходят одно вступительное испытание в форме, утверждаемой ГАГУ самостоятельно, результаты которого оцениваются по 100-балльной шкале. Программы вступительного испытания разрабатывают и утверждают аттестационные комиссии соответствующих факультетов, осуществляющих прием в магистратуру. Форма протокола заседания приемной комиссии в магистратуру приводится в Приложении 1.

2.12 Поступающие в магистратуру ГАГУ сдают вступительные испытания на русском языке. Для поступающих на места, финансируемые за счет средств федерального бюджета (по общему конкурсу, имеющих право на внеконкурсный прием), а также на места по договорам с оплатой стоимости обучения устанавливаются одинаковые вступительные испытания.

2.13 Вступительные испытания проводятся в сроки, утверждаемые ГАГУ самостоятельно. Расписание всех вступительных испытаний в магистратуру по всем формам обучения ГАГУ объявляется не позднее 20 июня.

2.14 Все поступающие в магистратуру ГАГУ должны сдать вступительные испытания на положительную оценку. ГАГУ устанавливает минимальное количество баллов по стобалльной шкале, подтверждающее успешное прохождение вступительных испытаний по каждой программе магистратуры. Это минимальное количество баллов, подтверждающее успешное прохождение вступительных испытаний, устанавливается приемной комиссией ГАГУ не позднее 20 июня.

2.15 Абитуриенты, не сдавшие вступительный экзамен на положительную оценку или не явившиеся на экзамен без уважительной причины, зачислению не подлежат. Лица, забравшие документы после начала вступительных испытаний, выбывают из конкурса и не зачисляются в вуз.

Лица, не явившиеся на вступительные испытания по уважительным причинам, допускаются к ним в резервный день или индивидуально в период до их полного завершения. По окончании указанных сроков соответствующие вступительные испытания не проводятся и претензии не принимаются. При опоздании к началу вступительных испытаний без уважительной причины абитуриент может быть допущен к испытанию, при этом время на выполнение задания ему не увеличивается.

2.16 Абитуриент имеет право подать апелляцию – аргументированное письменное заявление либо о нарушении процедуры вступительных экзаменов, приведшем к снижению оценки, либо об ошибочности, по его мнению, выставленной оценки на вступительных экзаменах.

2.17 Зачисление в магистратуру на места, финансируемые из федерального бюджета, может осуществляться вне конкурса и по общему конкурсу. Зачисление проводится в срок не позднее, чем за 10 дней до начала занятий по данной форме обучения.

2.18 Зачисление абитуриентов на места, финансируемые из федерального бюджета, проводится в следующей последовательности:

а) абитуриенты, успешно прошедшие вступительные испытания и имеющие право на внеконкурсное зачисление

б) абитуриенты, успешно прошедшие вступительные испытания и поступающие на общих основаниях по общему конкурсу, в том числе с учетом преимущественного права на зачисление.

2.19 Вне конкурса при получении положительных оценок на вступительных испытаниях и предъявлении соответствующих документов зачисляются:

- дети-сироты и дети, оставшиеся без попечения родителей, а также лица из числа детей-сирот и детей, оставшихся без попечения родителей, в возрасте до 23 лет (при условии, что граждане в возрасте до 23 лет стали сиротами или остались без попечения родителей в возрасте до 18 лет)

- дети-инвалиды, инвалиды первой и второй групп, которым согласно заключению учреждения Государственной службы медико-социальной экспертизы не противопоказано обучение в ГАГУ

- граждане в возрасте до 20 лет, имеющие только одного родителя-инвалида I группы, если среднедушевой доход семьи ниже величины прожиточного минимума, установленного в соответствующем субъекте Российской Федерации

- граждане других категорий, предусмотренных законодательством Российской Федерации.

2.20 Процедура зачисления по общему конкурсу включает в себя:

- подведение итогов вступительных испытаний и объявление полного пофамильного ранжированного по мере убывания количества набранных баллов (с их указанием) перечня лиц, успешно прошедших вступительные испытания, зачисление которых может рассматриваться приемной комиссией по различным условиям приема, (далее – пофамильный перечень), в том числе списка рекомендованных к зачислению

- предоставление абитуриентами в установленные ГАГУ сроки оригинала документа государственного образца об образовании

- проведение заседания приемной комиссии по зачислению, издание приказа о зачислении.

В случае непредставления в установленные сроки оригинала документа государственного образца об образовании абитуриенты к конкурсному зачислению не допускаются.

2.21 Лица, не прошедшие по общему конкурсу на бюджетные места, могут быть зачислены на договорной основе с оплатой стоимости обучения юридическими или физическими лицами. Для поступающих на внебюджетные места на программы магистратуры проводится конкурсное зачисление.

Социальная сеть Pandia.ru набирает обороты!

Главное отличие сети от мегапопулярных Вконтакте и Facebook - категории публикация авторов. Вы можете открыть разные рубрики статей и фотогалерей, наполняя каждую отдельно своими материалами. Публикуйте статьи и добавляйте к ним фото, аттачи-приложения файлов.

Рекомендуйте других авторов, контактируйте через личную преписку!

Для учителей и педагогов. печатайте полноценные материалы, презентации, творческие работы.

Для бизнеса. печатайте Ваши рекламные тексты, прайс-листы, отзывы. Зарегистрироваться . А вот лучшие сайты .

2.22 Зачисление для обучения на первый курс по программам магистратуры осуществляется 5 августа после завершения вступительных испытаний. Зачисление на места с оплатой стоимости обучения осуществляется только после полного выполнения плана бюджетного набора на соответствующие программы магистратуры.

Точная дата, до которой необходимо представить оригинал документа государственного образца об образовании, устанавливается приемной комиссией ГАГУ не позднее начала приема документов на данную форму обучения.

2.23 В сроки, установленные ГАГУ после завершения вступительных испытаний для лиц, поступающих на первый курс по программам магистратуры поступающий представляет:

при зачислении на бюджетные места - оригинал документа государственного образца об образовании

при зачислении на места по договорам с оплатой стоимости обучения:

для обучения в качестве студента - оригинал документа государственного образца об образовании

для обучения в качестве слушателя - заверенную ксерокопию документа государственного образца об образовании и справку из вуза, где он является студентом.

2.24 Слушатели зачисляются на места по договорам с оплатой стоимости обучения.

2.25 Приказ (приказы) о зачислении по результатам конкурса с указанием количества баллов, набранных на вступительных испытаниях, как на места, финансируемые за счет средств федерального бюджета, так и на места по договорам с оплатой стоимости обучения, публикуются на официальном сайте приемной комиссии ГАГУ www. *****.

2.26 Абитуриенты, не поступившие в ГАГУ, обязаны забрать поданные ими документы лично по предъявлению паспорта и расписки о приеме (либо документы могут быть выданы лицам, представляющим интересы абитуриента, по предъявлению нотариально заверенной доверенности). Фотографии и копии документов об образовании не поступивших в ГАГУ абитуриентов хранятся в приемной комиссии до 31 декабря текущего года, после чего уничтожаются.

3 Руководство магистратурой

3.1 Общее руководство магистратурой ГАГУ и контроль всех аспектов реализации магистерских программ осуществляется проректором по учебной работе.

3.2 Общее руководство магистратурой и контроль всех аспектов реализации магистерских программ на каждом факультете и выпускающих кафедрах осуществляется деканом и заведующими кафедрами.

3.3 Непосредственное руководство магистерской подготовкой по конкретному направлению осуществляется руководителем соответствующей магистерской программы и научными руководителями магистрантов.

Руководитель магистерской программы осуществляет разработку рабочего учебного плана магистерской программы, руководит реализацией общенаучной содержательной части магистерской программы, определяет содержание блока специальных дисциплин, отвечает за качество подготовки магистрантов по программе в целом, проводит экспертную оценку и корректировку тематики магистерских диссертаций, организует защиту магистерских диссертаций по программе, осуществляет руководство и контроль деятельности научных руководителей магистрантов.

Руководитель магистерской программы назначается, как правило, из числа профессоров или докторов наук, работающих в ГАГУ, деканом факультета по согласованию с ученым советом факультета и утверждается приказом ректора. Один профессор или доктор наук может осуществлять руководство не более чем двумя магистерскими программами.

По решению Ученого совета ГАГУ руководство магистерскими программами, может быть в порядке исключения поручено кандидатам наук, имеющим ученое звание доцента, ведущим подготовку научно-педагогических кадров.

3.4 Каждому магистранту назначается научный руководитель из числа высококвалифицированных специалистов, имеющих ученую степень и /или ученое звание, работающих в ГАГУ, ведущих научные исследования по тематике магистерской программы.

Назначение научных руководителей осуществляется в течение сентября месяца года зачисления в магистратуру по представлению руководителя магистерской программы, согласованному с заведующими кафедрой, утверждается приказом ректора.

3.5 Научный руководитель магистранта осуществляет непосредственное руководство образовательной и научной деятельностью магистранта, совместно с магистрантом составляет его индивидуальный план, организует утверждение этого плана на заседании кафедры и после утверждения деканом контролирует его выполнение по всем разделам содержания образовательной и научной частей. Научный руководитель осуществляет также руководство подготовкой магистрантом выпускной магистерской диссертации.

В части реализации индивидуального плана магистранта научный руководитель магистранта находится в непосредственном подчинении у руководителя соответствующей магистерской программы.

Каждый научный руководитель может одновременно руководить не более чем пятью магистрантами.

В случае выполнения научного исследования по теме магистерской диссертации на стыке направлений допускается назначение, помимо научного руководителя, одного или двух научных консультантов, которые утверждаются на заседании соответствующей кафедры.

Приглашаем Вас бесплатно открыть свой сайт . который будет размещен внутри портала.

Размещайте новости и пресс-релизы бесплатно, добавляйте фото целыми галереями! Открыть сайт!

Источники: http://www.1c-galex.ru/novosti/zavershilis-1s-sorevnovaniya-dlya-studentov, http://altapress.ru/story/62369, http://pandia.org/text/78/505/55717.php

Экс-студенты ААЭП начали учебу в Алтайском госуниверситете

Экс-студенты ААЭП начали учебу в Алтайском госуниверситете

С 19 сентября для учащихся потерявшей лицензию Алтайской академии экономики и права (ААЭП) возобновилась учеба.

К занятиям в Алтайском государственном университете (АлтГУ) приступил 231 экс-студент ААЭП 2-4 курсов. Их зачислили на юридический факультет и МИЭМИС АлтГУ. Об этом сообщили в пресс-службе краевого управления образования и науки.

В общей сложности было создано шесть новых групп из числа бывших студентов ААЭП: по 3 на каждом факультете. Часть из переведенных студентов дополнила состав штатных некомплектных групп.

Также руководство ААЭП готовит списки студентов-заочников (около 500 человек), которые осенью будут переведены в АлтГУ на юридические и экономические направления подготовки.

«Факультет ситуацию с переводом студентов воспринял в целом спокойно. Академия экономики и права давала хороший уровень знаний. Но раз произошла такая история, то мы включились в работу, чтобы помочь переводу студентов академии в университет. Вся работа по организации перевода, по документальному обеспечению легла на плечи факультета, и, несмотря на сжатые сроки, была выполнена вовремя. С 19 сентября учебный процесс начался, формируется расписание. На этой неделе идут лекционные занятия, на следующей начнутся практические», - отметила декан юрфака университета Наталья Карлова.

Также она добавила, что некоторые преподаватели ААЭП на условиях совместительства приступят к работе на юридическом факультете АлтГУ. Но в целом с возросшим объемом нагрузки справляются и штатные преподаватели факультета: добавилось всего по одной группе на трех курсах. Нагрузка на преподавателей значительно увеличится позже, когда на сессию выйдут заочники, переведенные из ААЭП, отмечают в управлении.

Напомним, из-за неисполнения предписаний Рособорнадзора зимой 2015 года в академию запретили принимать студентов. После устранения всех замечаний вуз подал документы в ведомство, однако решения не получил вплоть до окончания действия аккредитации. Ее действие закончилось 28 августа. 31 августа Рособрнадзор временно остановил действие лицензии академии. Однако окончательно лишить вуз лицензии ведомство не может – последнее слово останется за судом. 

Фото edu.ru.

Ссылки по теме

Александр Карлин: «Для студентов ААЭП ситуация не катастрофическая»

На грани закрытия. Что творится в ААЭП?

Два новых рода тропических бабочек: представлена исследовательская работа энтомологов

Авторитетный экологический журнал Ecologica Montenegrina, специализирующийся на публикации результатов по исследованию глобального биоразнообразия, представил совместную исследовательскую работу энтомологов Алтайского государственного университета и Ульяновского государственного педагогического университета имени И.Н. Ульянова. 

В существующем объеме различных групп животных (более двух миллионов биологических видов) почти не осталось полностью белых пятен, однако они еще есть. К таким совершенно непознанным группам относится небольшое семейство ярких тропических бабочек Метарбелид (Metarbelidae). 

Несмотря на то что некоторые представители семейства Metarbelidae являются опасными вредителями ценных пород древесины Африки и Юго-Восточной Азии, таких как какао, цитрусовые, манго, рамбутан, маниока, систематика и распространение данного семейства бабочек до сих пор практически не изучены. 

Так, если фауной метарбелид Африки в последние годы активно занимается немецкий энтомолог Инго Леман, то к изучению биоразнообразия тропических регионов Азии, которое пока совершенно не систематизировано, приступил профессор кафедры экологии, биохимии и биотехнологии Института биологии и биотехнологии Алтайского государственного университета, доктор биологических наук Роман Викторович Яковлев. 

Благодаря гранту РФФИ 18-04-00440 Роман Викторович посетил ряд крупных музеев, в частности Британский музей естественной истории в Лондоне, Парижский музей естественной истории, энтомологические собрания Германии, где исследовал все имеющиеся материалы по группе. Также важными были работы в музеях Бельгии, Голландии, Австрии, Швеции, Индии, проведенные ранее Романом Викторовичем и его коллегой из Ульяновского государственного педагогического университета имени И.Н. Ульянова, д.б.н., профессором Вадимом Викторовичем Золотухиным. В российских учреждениях метарбелиды практически не представлены. Результатом работ ученых стало опубликование первой части ревизии Метарбелид азиатской фауны в авторитетном научном издании Ecologica Montenegrina. 

В этой статье приводятся известные данные по истории изучения, биологии и морфологии представителей семейства, а также описаны два новых рода и четыре новых вида для науки из Лаоса, Вьетнама, Таиланда и Мьянмы, даны детальные изображения всех рассмотренных видов, карты их распространения. 

«Исследование биоты и экологии тропических регионов земного шара сейчас является одним из важных приоритетов современной биологической науки, примерно так же, как и изучение мирового океана и уязвимых ценозов Арктики. Надо понимать, что 90% всего биоразнообразия, включающего тысячи хозяйственно важных представителей флоры и фауны, сосредоточено в тропических регионах. К сожалению, исторически доля российских ученых в изучении богатейших биот тропиков была невелика. Пальма первенства здесь принадлежит исследователям из Европы и США. Очень приятно, что в последние десятилетия у российских биологов появилась возможность проводить качественные исследования в Африке, Юго-Восточной Азии и Америке», - подчеркивает Р.В. Яковлев. 

Всего, по словам ученого АлтГУ, сейчас известно 34 вида метарбелид в тропиках Азии, но общее биоразнообразие группы оценивается в 60-70 видов, что станет понятно лишь после полной ревизии семейства. 

 

Информация и фото предоставлены пресс-службой АлтГУ 

Хатидже Алтуг

Индивидуальный член | Полный профессор в Федеральной политехнической школе Лозанны

Контактные данные:

Войдите, чтобы отправить личное сообщение или просмотреть контактную информацию

Хатидже Алтуг - профессор Института биоинженерии Федеральной политехнической школы Лозанны (EPFL), Швейцария.Она также является директором докторской школы по фотонике EPFL. Она получила докторскую степень. Имеет степень бакалавра прикладной физики Стэнфордского университета в 2007 году и степень бакалавра наук. Доктор философии в области физики в Билькентском университете (Турция) в 2000 году. Профессор Алтуг является лауреатом награды Эмми Нётер Европейского физического общества, медали Адольфа Ломба по оптическому обществу Америки и премии президента США за раннюю карьеру для ученых и инженеров. Она получила грант Консолидатора Европейского исследовательского совета (ERC), грант ERC Proof of Concept Grant, награду Управления военно-морских исследований США для молодых исследователей, U.Награда КАРЬЕРА Национального научного фонда США, Премия нового исследователя Массачусетского центра наук о жизни, Премия молодых исследователей Общества фотоники IEEE. Она является избранным членом Оптического общества Америки. Она выиграла конкурс Inventors 'Challenge в Кремниевой долине в 2005 году и была включена в список «Бриллиантовой 10» журнала Popular Science Magazine в 2011 году.

Исследования профессора Алтуга сосредоточены на нанофотонике и ее применении в биосенсорных исследованиях, включая оптику и микрофлюидику. , нанофабрикация, биохимия, наука о данных.В ее лаборатории представлены нанофотонные биосенсоры нового поколения, технологии спектроскопии и биоизображения для высокопроизводительного анализа биологических образцов без этикеток в режиме реального времени для диагностики в местах оказания медицинской помощи, биоаналитики и наук о жизни.

Волонтерская деятельность SPIE

Получение данных, подождите...

Предстоящие презентации

Самые последние | Показать все

Получение данных, подождите...

Публикации

Самые последние | Показать все

Получение данных, подождите...

Участие в комитетах конференции

Самые последние | Показать все

Получение данных, подождите...

Инструктор курса

Самые последние | Показать все

Получение данных, подождите...

Cryptology ePrint Archive: Report 2018/926

Cryptology ePrint Archive: Report 2018/926 - Hard Isogeny Problems over RSA Moduli and Groups with Infeasible Inversion

Cryptology ePrint Archive: Отчет 2018/926

Проблемы жесткой изогении над модулями RSA и группами с невозможной инверсией Салим Али Алтуг и Илей Чен Аннотация: Мы приступаем к изучению вычислительных задач на графах изогении эллиптических кривых, определенных над модулями RSA.Мы предполагаем, что несколько вариантов задачи поиска соседей по этим графам трудны, и предоставляем исчерпывающий список попыток криптоанализа для решения этих проблем. Более того, исходя из сложности этих задач, мы обеспечиваем конструкцию групп с недопустимой инверсией, где лежащие в основе группы являются идеальными группами классов мнимых квадратичных порядков.

Напомним, что в группе с недопустимой инверсией вычисление обратного элемента группы должно быть трудным, в то время как выполнение групповой операции выполняется легко.Мотивированный потенциальным криптографическим приложением построения схемы направленной транзитивной подписи, поиск группы с недопустимой инверсией был начат в тезисах Хоэнбергера и Молнара (2003). Позже Irrer et al. Также показали, что он обеспечивает схему шифрования широковещательной передачи. (2004). Однако на сегодняшний день единственный случай группы с недопустимой инверсией подразумевается гораздо более сильным примитивом самобилинейного отображения, построенным Ямакавой и др.(2014) на основе жесткости факторизации и неразличимости обфускации (iO). Наша конструкция дает кандидата без использования iO.

Категория / Ключевые слова: Изогения эллиптических кривых, группа классов идеалов Дата: получено 27 сентября 2018 г., последнее изменение 13 мая 2019 г. Связаться с автором: chenyilei ra at gmail com Доступный формат (ы): PDF | Цитирование BibTeX Примечание: Обновления: 1. Во введении мы добавляем игрушечный пример для группы люков с недопустимой инверсией (TGII).2. В основной конструкции TGII мы разделяем конструкцию на базовую версию и общую версию. 3. Добавьте небольшой пример на рис. 5, чтобы объяснить состав и алгоритмы извлечения. 4. В Разделе 5.3 мы добавляем модель атаки под названием «модель оценки gcd», которая описывает простой интерфейс атаки. В рамках модели оценки gcd мы находим новую атаку под названием «параллелограммная атака» и обсуждаем меры противодействия. 5. Приложения обновляются соответственно в связи с новым представлением алгоритмов и новой атакой. Версия: 201: 041955 (Все версии этого отчета) Короткий URL: ia.cr/2018/926
[Архив Cryptology ePrint]

Сезен Алтуг, врач-гастроэнтеролог | Houston, TX

О Сезен Алтуг, M.D.

Почему вы выбрали специализацию в области гастроэнтерологии?

Гастроэнтерология меня привлекла из-за разнообразия в этой области. Здесь задействовано несколько органов, что позволяет мне справляться с различными заболеваниями, диагностическими исследованиями и лечением в течение дня.Мне также нравится как личный аспект, так и техническая составляющая поля. Мне очень приятно знакомиться с моими пациентами не только на основании их симптомов, но и лично, а затем работать вместе, чтобы найти лучшее решение их проблемы. Выполнение процедур не только доставляет мне удовольствие, но и позволяет мне лучше понять проблему и лечение моего пациента.

Есть ли у вас специальность, интересующая вас в рамках GI?

Мне нравятся все аспекты гастроэнтерологии.

Где учились?

Бакалавриат: Вашингтонский университет и Университет Миссури, Колумбия
Медицинская школа: Университет медицинских наук - Медицинская школа Чикаго
Резиденция и стипендия: Медицинский филиал Техасского университета

Какие сертификаты у вас есть?

Гастроэнтерология, сертифицированная Советом

Чем вам и вашей семье нравится заниматься в свободное время?

Мне нравится путешествовать, активный отдых на свежем воздухе (особенно теннис и катание на велосипеде), а также проводить время со своими детьми и остальной частью моей семьи и друзей.

Есть ли у вас какие-либо особые почести или признания в вашей медицинской карьере, которыми вы хотели бы поделиться?

Выдающийся третий год резидент по внутренним болезням - UTMB
Главный научный сотрудник по гастроэнтерологии - UTMB
Прошлая работа в Медицинском исполнительном комитете, Комитете по рассмотрению медицинских случаев и Начальник отдела внутренней медицины - Госпиталь Св. Иоанна

Укажите, пожалуйста, вашу профессиональную деятельность.

Американская гастроэнтерологическая ассоциация
Американское общество эндоскопии желудочно-кишечного тракта
Американский колледж врачей
Техасская медицинская ассоциация
Техасское общество эндоскопии желудочно-кишечного тракта
Медицинское общество округа Харрис

Хатидже Алтуг »Исследовательский центр интеллектуального освещения

Научный сотрудник факультета Нанофотонные устройства для оптической связи

Доцент
Электротехника и вычислительная техника
Бостонский университет

617-358-4769
altug @ bu.edu

Хатидже Алтуг - доцент кафедры электротехники и вычислительной техники отдела материаловедения и инженерии, а также научный сотрудник ERC интеллектуального освещения.

Лаборатория интегрированной нанофотоники и биосенсорных систем профессора Алтуга (LINBS) занимается разработкой нового поколения интеллектуальных источников света, спектральный состав, цветовая температура, поляризация, пространственная и временная модуляция которых полностью управляемы и настраиваются.Эти средства управления в светотехнике изменят многие аспекты нашей жизни, от транспорта до связи, а также будут способствовать развитию фундаментальных наук. Для достижения этих новых функций мы используем материалы с фотонной запрещенной зоной. Это искусственные наноматериалы с периодической модуляцией диэлектрического индекса порядка длины волны света. Они предлагают беспрецедентный контроль над взаимодействием света и световой материи и открывают огромные возможности для разработки новых осветительных устройств.

Публикации по теме:

Х. Алтуг, Д. Энглунд, Дж. Вукович, «Низкопороговый поверхностно-пассивированный лазер на фотонно-кристаллической нанополости», Applied Physics Letters, 91 071124 (2007).

Х. Алтуг, Д. Энглунд, И. Фушман, Дж. Вукович, «Эффективный терагерцовый лазер на фотонно-кристаллической нанополости при комнатной температуре», Applied Physics Letters 91 071126 (2007).

Х. Алтуг, Д. Энглунд, Дж. Вукович, «Сверхбыстрый лазер на фотонно-кристаллической нанополости», Nature Physics, 2, 484-488, (2006).

Х. Алтуг, Дж. Вукович, "Лазер с матрицами на фотонных кристаллах и нанополости", Optics Express, 13, 8819 (2005).

Х. Алтуг, Дж. Вукович, «Управление поляризацией и зондирование с помощью двумерных матриц связанных фотонно-кристаллических микрополостей», Optics Letters, 30, 982 (2005).

Х. Алтуг, Дж. Вукович, «Экспериментальная демонстрация малой групповой скорости света в двумерных решетках микрополостей связанных фотонных кристаллов», Applied Physics Letters, 86, 111102 (2005).

H.Алтуг, Н. К. Хелман, Дж. Э. Рот, Д. П. Бур, Д. Миллер, «Устойчивый к рассогласованию поверхностно-нормальный низковольтный модулятор для оптических межсоединений», IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, 11, 338 (2005).

Х. Алтуг, Дж. Вукович, «Двумерные связанные фотонно-кристаллические решетки резонаторов», Applied Physics Letters, 84 161 (2004).

Х. Алтуг, Мехмет Ф. Яник, Дж. Вукович, «Субмикронная полностью оптическая цифровая память и интеграция наноразмерных фотонных устройств без изоляторов», IEEE Journal of Lightwave Technology, 22, 2316 (2004).

Х. Алтуг, Б. Темелкуран, Э. Озбай, "Экспериментальное исследование металлических фотонных кристаллов слой за слоем", Труды IEEE по оптоэлектронике, 145, 409 (1998).

Узнайте больше о профессоре Алтуге.

[jakarta.ee-community] JUG Istanbul стал гостевым участником Jak


[Предыдущая дата] [Следующая дата] [Предыдущая тема] [Следующая цепочка] [Указатель даты] [Указатель темы] [Главная страница списка]
Re: [jakarta.ee-community] JUG Istanbul стал приглашенным членом Рабочей группы Jakarta EE

Спасибо за исправление Altuğ!

Еще раз JUG Istanbul добро пожаловать в Jakarta EE Working Группа!

С уважением,

Таня

05.05.2021 в 8:45 а.м., Алтуш Билгин Алтынташ написал:

Привет всем

Приятно быть частью сообщества Jakarta EE и Особая благодарность Тане за ее огромные усилия.


Вы можно найти больше Информация около JUG Стамбул

С уважением.



 _______________________________________________
Джакарта.список рассылки электронного сообщества
[email protected]
Чтобы отказаться от подписки на этот список, посетите https://www.eclipse.org/mailman/listinfo/jakarta.ee-community
 
-

Таня Обрадович

Jakarta EE Program Manager | Eclipse Foundation, Inc.

Твиттер: @TanjaEclipse

Eclipse Foundation : Платформа для открытых инноваций и сотрудничества


Награда Эмми Нётер среди женщин в области физики EPS летом 2020 года присуждена Хатидже Алтуг

Награда Эмми Нётер летом 2020 года присуждена награде EPS:

из Института биоинженерии, Федеральная политехническая школа Лозанны, Швейцария, «за ее плодотворный вклад в взаимодействие света и материи на наноуровне, манипулирование светом на кристалле и применение нанофотоники в биологии, а также ее вдохновляющую роль в следующем поколение исследователей и женщин ».

Профессор доктор Хатидже Алтуг родился в 1978 году в Турции. Она получила степень бакалавра физики в Билькентском университете (Анкара, Турция) в 2000 году и докторскую степень по прикладной физике в Стэнфордском университете (Калифорния, США) в 2007 году. В настоящее время она является профессором кафедры биоинженерии Ecole Polytechnique Fédérale de Лозанна (EPFL), Швейцария, и директор докторской школы EPFL по фотонике. Профессор Алтуг является лауреатом медали Адольфа Ломба Американского оптического общества и награды U.S. Президентская премия за раннюю карьеру для ученых и инженеров, которая является высшей наградой, присуждаемой правительством США выдающимся ученым и инженерам в начале их карьеры. Она получила грант ERC Consolidator и Proof-of-Concept, Премию молодых исследователей Управления военно-морских исследований США, премию CAREER Национального научного фонда США, премию New Research Center Массачусетского центра биологических наук и премию молодых исследователей IEEE Photonics Society. Она является победителем конкурса Inventors ’Challenge в Кремниевой долине в 2005 году, а в 2011 году была внесена в список« 10 блестящих десятков »журнала Popular Science.

Хатидже Алтуг возглавляет лабораторию бионанофотонных систем в EPFL, и вместе со своей командой она представляет биосенсоры нового поколения, технологии спектроскопии и биовизуализации, имеющие большое значение для фундаментальных наук о жизни, ранней диагностики заболеваний, безопасности и тестирования на месте. Ее лаборатория решает ключевые проблемы современных биоаналитических инструментов, разрабатывая новые наноустройства, которые позволяют проводить сверхчувствительные, мультиплексированные, быстрые и быстрые измерения биомолекул, патогенов и живых систем без этикеток.


Проф. Д-р Хатидже Алтуг


Сверхчувствительная колебательная спектроскопия монослоев белков с матрицами плазмонных наноантенн

Реферат

Инфракрасная абсорбционная спектроскопия, обеспечивающая прямой доступ к вибрационным отпечаткам молекулярной структуры, является мощным методом функциональных исследований биомолекул. Хотя сечения собственного поглощения ИК-активных мод белков почти на 10 порядков больше, чем соответствующие сечения комбинационного рассеяния, они все еще малы по сравнению с методами, основанными на флуоресцентной метке.Здесь мы разработали новый инструмент, основанный на коллективном возбуждении массивов плазмонных наноантенн и продемонстрировали прямое обнаружение колебательных сигнатур отдельных монослоев белка. Сначала мы адаптировали геометрию отдельных наноантенн для формирования резонансных структур, соответствующих колебательным модам молекул. Затем адаптированные наноантенны располагаются таким образом, что их синфазное диполярное взаимодействие приводит к коллективному возбуждению ансамбля с сильно усиленными ближними полями. Комбинированные коллективные и индивидуальные плазмонные отклики антенной решетки играют решающую роль в достижении коэффициентов усиления сигнала 10 4 –10 5 .Мы достигли измерения колебательных спектров белков на зептомольных уровнях для всего массива, что соответствует только 145 молекулам на антенну. Ближний полевой характер плазмонного усиления сигналов поглощения демонстрируется с прогрессивной загрузкой наноантенн с различной толщиной белковой пленки. Наконец, вводится усовершенствованная модель, основанная на формализме неравновесной функции Грина, которая объясняет наблюдаемые формы линий поглощения типа Фано и настройку сил поглощения с резонансом антенны.

Новое поколение антенн, работающих на оптических и инфракрасных частотах, является результатом хорошо разработанных концепций теории микроволновых антенн. Плазмонные наноантенны с их уникальной способностью фокусировать свет за пределами дифракционного предела лежат в основе множества новых захватывающих возможностей в фотонике (1–3). Используя чрезвычайно сильные и локализованные поля в видимом диапазоне длин волн, было продемонстрировано усиление сигнала на несколько порядков в генерации второй гармоники (4), флуоресценции (2, 5) и поверхностно-усиленном комбинационном рассеянии света (SERS) (1, 2, 6).Плазмонное усиление оптических полей в ближней зоне также может быть распространено на инфракрасные частоты, что позволяет значительно улучшить сигнал в инфракрасной (ИК) спектроскопии. По аналогии с SERS, этот метод называется спектроскопией поверхностного инфракрасного поглощения (SEIRA) (7⇓⇓⇓⇓⇓⇓ – 14). До недавнего времени основная часть исследований SEIRA касалась улучшений, достигаемых за счет химически подготовленных или шероховатых металлических поверхностей (7⇓⇓ – 10, 14). В этих субстратах, однако, факторы усиления сигнала были ограничены диапазоном 10–100 из-за их случайной природы (14).Неконтролируемая геометрия поверхности также вызывает плохое спектральное перекрытие между плазмонными резонансами и интересующими молекулярными колебательными модами. Эти ограничения приводят к более слабым сигналам поглощения, препятствующим воспроизводимым колебательным измерениям от белковых монослойных пленок. Напротив, специально разработанные массивы наноантенн могут поддерживать спектрально четко определенные резонансы с сильными локальными полями. Кроме того, плазмонные резонансы в этих структурах могут быть настроены на интересующие спектральные области с высокой пространственной воспроизводимостью.Недавно наблюдались усиленные сигналы поглощения от отдельных наноантенн (8, 11–13). Однако удивительные новые явления возникают в результате коллективного резонансного возбуждения ансамблей наноантенн. В хорошо спроектированных решетках нано-антенн радиационная дипольная связь и интерференция многократного рассеяния от антенн в решетке могут использоваться для сужения спектра отклика в дальней зоне. Что еще более важно, расчеты показывают, что эти коллективные резонансы связаны с сильно увеличенной интенсивностью ближнего поля (15⇓⇓⇓ – 19).Таким образом может быть достигнута гораздо более сильная связь между падающим полем и дипольными моментами перехода белков по сравнению с отдельными антеннами и химически подготовленными субстратами.

В этом письме мы представляем сверхчувствительный метод спектроскопии коллективно усиленного ИК-поглощения (CEIRA), позволяющий напрямую идентифицировать колебательные сигнатуры монослоев отдельных белков фиброина шелка. Измерение вибрационных сигнатур с пределами обнаружения белков на уровне зептомолей достигается за счет 10 4 –10 5 улучшений сигнала.Сигналы поглощения, намного превосходящие сигналы отдельных наноантенн, показаны с высокой надежностью и воспроизводимостью. Экспериментально наблюдаемые асимметричные спектры поглощения и относительная перестройка колебательных полос поглощения объясняются с помощью техники неравновесной функции Грина (NEGF) (20–21). Характер ближнего поля усиленных сигналов экспериментально отображен путем постепенной загрузки наноантенны различной толщиной белковых пленок. Большое отношение сигнал / шум, полученное здесь с помощью спектроскопии CEIRA, позволяет проводить функциональные исследования однослойных белковых пленок, что является вопросом фундаментальной важности в биохимии и биофизике.

Шелковый фиброин.

Наш предпочтительный белок - это фиброин шелка, который привлек большое внимание благодаря своим исключительным механическим и оптическим свойствам (22). Помимо присущих ему свойств, способность формировать однородные слои с превосходным контролем толщины (23) делает белок шелка идеальной модельной системой для систематических исследований механизмов усиления инфракрасного излучения в биомолекулах.

Механизмы коллективной наноплазмоники.

Наш подход - первая разработка антенных решеток на основе наностержней, поддерживающих спектрально узкие коллективные плазмонные возбуждения на средних инфракрасных частотах, в частности, на колебательной нормали амида-I (1,660 см -1 ) и амида-II (1,537 см -1 ). режимы белкового остова.Затем изготовленные литографическим способом структуры покрываются белковыми молекулами, колебательные дипольные моменты которых действуют как нагрузка на наноантенну. Матрицы наноантенн, управляемые источником инфракрасного света, эффективно направляют падающий свет к своей нагрузке через коллективно усиленные плазмонные возбуждения. Это коллективное поведение контролируется локальным электромагнитным полем, возбуждающим каждую наноантенну. Для отдельной наноантенны локальное поле - это просто падающее поле, которое возбуждает локализованные поверхностные плазмоны (LSP), служащие электрическими диполями.Однако в массиве локальное поле включает ( i ) падающее электрическое поле и ( ii ) поле, создаваемое другими наведенными диполями: где E 0 и k = 2π / λ - амплитуда и волновой вектор падающей волны. P → j - это наведенная поляризация j -й антенны в решетке, в то время как c → ij представляет матрицу диполярного взаимодействия на больших расстояниях без фазового члена (см. SI Text ).Сила второго члена контролируется расположением ансамбля из-за фазовой составляющей. Для устройства, в котором взаимодействия индуцированных дипольных полей почти совпадают по фазе, локальные поля могут стать чрезвычайно большими. Следовательно, решетки антенн генерируют коллективный отклик, приводящий к сильно усиленному возбуждению в ближней зоне по сравнению с индивидуальной антенной.

Результаты и обсуждение

Индивидуальные и коллективные резонансы плазмонных наноантенн.

Мы разрабатываем наноплазмонные антенные решетки для улучшения коллективного отклика, начиная с поведения отдельных антенн. Чтобы получить индивидуальный отклик с хорошим соотношением сигнал / шум с помощью обычного инфракрасного микроскопа с преобразованием Фурье (FTIR), мы использовали случайно расположенные антенны. Случайное расположение массива наноантенн исключает любое дифракционное поведение (24). Как показано в тексте SI и на рис. S1, спектральные измерения не зависят от процесса рандомизации и четко отражают отклик отдельной антенны.Рис. 1 A показывает измерения коэффициента отражения инфракрасного излучения от рандомизированных массивов, состоящих из наностержней различной длины и фиксированной ширины (230 нм), направленных в одном направлении на площади 100 × 100 мкм 2 . Структуры изготавливаются на кремниевых подложках с помощью электронно-лучевой литографии. Сначала с помощью электронно-лучевого испарения наносится тонкий адгезионный слой титана, а затем слой золота толщиной ≈70 нм. После отрыва сформировались четко очерченные структуры в форме стержней, как показано на изображении отдельной наноантенны, полученном с помощью сканирующего электронного микроскопа (СЭМ) (рис.1 A Вставка ). Для падающего света, поляризованного параллельно длинной оси стержней (// - поляризованного), резонанс наноантенны подчиняется линейному масштабному соотношению (рис. 1 B ). Такое масштабное поведение можно понять из концепций теории антенн. Традиционная полуволновая дипольная антенна длиной L имеет крошечный зазор питания между двумя сегментами длиной λ / 4, на котором антенна подключается к своей нагрузке. Когда импеданс питающего промежутка согласован с импедансом нагрузки, индуцированный ток максимизируется в антенне и цепи нагрузки.Соответственно, резонанс возникает на длине волны, соответствующей общей длине двух сегментов λ / 4 (то есть L = λ Res /2). Антенна из наностержней изготавливается как одиночная частица без промежутка питания, и условие согласования импеданса выполняется автоматически. В результате резонансная длина волны возбуждения наностержневой антенны с длиной L возникает примерно на λ Res = 2 Ln eff . Здесь n eff - эффективный показатель преломления, учитывающий неоднородную диэлектрическую среду (подложку и воздух), окружающую антенну.Незначительные отклонения от поведения идеальной полуволновой дипольной антенны обусловлены увеличением глубины проникновения падающего излучения на инфракрасных частотах и ​​уменьшением удлинения длинной оси по сравнению с короткой осью. Полный резонанс, который представляет собой перекрытие плазмонных возбуждений с колебательными полосами амида-I и амида-II, возникает при длине наноантенны L = 1100 нм. Для падающего света, поляризованного перпендикулярно длинной оси стержня, плазмонные резонансы не возбуждаются в интересующей спектральной области (рис.1 А ). Профиль поперечного сечения в ближней зоне отдельной наноантенны, показанный на рис. 2 A , получен с помощью трехмерного моделирования с конечной разностью во временной области (3D FDTD). Повышенные напряженности поля с коэффициентом ≈10 2 –10 3 наблюдаются для падающего света вблизи концов наноантенны параллельно поляризованным ( E // ). Хотя эти коэффициенты усиления весьма впечатляющие, измерения одиночного монослоя требуют еще более высоких интенсивностей ближнего поля.Этого нельзя добиться простым изменением геометрии наноантенны (25).

Рисунок 1. Плазмонные наностержни

Gold обладают антенной функциональностью в диапазоне частот среднего ИК-диапазона. ( A ) Спектры отражения случайно расположенных плазмонных наностержней определяют поведение отдельной антенны. Длина стержня указана в легенде (нм), ширина всех структур ≈230 нм. Поляризация падающего электрического поля параллельна длинной (короткой) оси стержня для сплошных (пунктирных) кривых.( B ) Резонансная длина волны основного резонанса антенны (синие квадраты) приблизительно линейно зависит (пунктирная линия показывает линейное соответствие) от длины стержня. На вставке показано изображение наностержня с направлениями поляризации, полученное с помощью сканирующего электронного микроскопа (СЭМ).

Рис. 2.

Коллективные резонансы в периодическом расположении наноантенн могут приводить к почти на порядок большему увеличению интенсивности ближнего поля по сравнению с изолированной антенной.( A ) Поперечные сечения распределения интенсивности, снятые через край стержня, показаны для периодической ( d = 1,6 мкм) и изолированной антенны. ( B ) Проиллюстрированы кратковременные (, левый, ) и радиационный (, правый, ) эффекты дифракционной связи.

Коллективные возбуждения в хорошо спроектированных антенных ансамблях, однако, можно использовать для достижения значительного увеличения интенсивности ближнего поля с гораздо более узкими спектральными характеристиками дальнего поля (15⇓⇓⇓ – 19).В периодически собираемой антенной решетке с периодом d дипольные взаимодействия на больших расстояниях между наноантеннами становятся преобладающими над локализованными связями в ближнем поле для расстояний более нескольких десятков нанометров. При фиксированной длине падающей волны член взаимодействия (заданный вторым компонентом в уравнении 1 ) накапливает большие фазовые задержки при распространении между антеннами с увеличением шага решетки. Узкий резонанс возникает для d , немного меньшего, чем критическая периодичность d c , где световые поля, соответствующие порядку дифракционной решетки ( i , j ), изменяются с исчезающих на излучательные: Здесь n Si - показатель преломления подложки, а ( i , j ) - порядки дифракционной решетки.Коллективные возбуждения создаются, когда диполярные взаимодействия между антеннами почти синфазны непосредственно перед появлением порядка решетки, приводящего к затуханию излучения (рис. 2 B ). Настройка LSP отдельных антенн на эту длину волны падающего излучения сильно усиливает коллективный отклик и приводит к эффективному направлению падающего света в гораздо более сильные возбуждения ближнего поля (15–19). Это поведение хорошо отражено в моделировании FDTD, представленном на рис. 2 A .На порядок более высокие интенсивности ближнего поля, чем у отдельных антенн, наблюдаются на немного более коротких длинах волн, чем λ Si (1,0) . Здесь λ Si (1,0) - критическая длина волны, при которой порядок решетки (1, 0) границы раздела кремния становится излучательным с заданной периодичностью решетки (λ Si (1,0) = n Si d ). Это коллективно усиленное поведение в ближней зоне отражается как сужение спектрального отклика в дальней зоне из-за подавления радиационного затухания с ограничением электромагнитного поля внутри массива (16).

Для усиления сигналов поглощения решетки оптимизированы с использованием измерений коэффициента отражения в дальнем поле путем спектральной настройки узких резонансов на колебательные полосы белка. Рис. 3 A показывает SEM-изображение изготовленной периодической решетки стержневых антенн. Решетки состоят из стержней длиной 1100 нм с различной периодичностью от 1,5 мкм до 2,0 мкм и случайного набора, который служит в качестве элемента управления для проверки отклика отдельной антенны. Полученные спектры отражения показаны на рис.3 В . Для периодичностей менее 2 мкм пики коллективного резонанса находятся выше границы (1, 0) решетки границы раздела кремния (пунктирная линия на рис. 3 C ), где поле исчезает ( d < d c ). Это приводит к более узким плазмонным резонансам в дальней зоне по отношению к отдельной антенне, как показано на рис. 3 C (красные треугольники). Прогрессивный синий сдвиг ожидается для большего разноса, поскольку связь между антеннами уменьшается, а оптический отклик сходится обратно к отклику изолированной частицы.При d > d c поле порядка решетки по своей природе изменяется от кратковременного до излучающего, что связано с сильным затуханием коллективного резонанса и расширением ширины линии. Фактически, при периодичности 2 мкм резонанс возникает на длине волны ниже границы отсечки решетки ( d > d c ) и приводит к более широкой ширине линии. По сравнению с рандомизированными массивами, решетки с периодичностью 1,5 и 1,6 мкм имеют значительно меньшую ширину резонансных линий (≈1 мкм против 2.75 мкм для индивидуального поведения частиц). Как показано на рис. 3 C , периодическая матрица 1,6 мкм предлагает наилучшую комбинацию узкой ширины линии и спектрального перекрытия с полосой амида-I белка при 1,660 см -1 .

Рис 3.

Спектральные характеристики периодических массивов наностержней. ( A ) Изображения периодической матрицы, полученные с помощью сканирующего электронного микроскопа (SEM). ( B ) Спектры отражения периодических решеток наноантенн. Все антенны имеют длину 1100 нм.Волновые числа, соответствующие 1 / λ Si (1, 0) для данной периодичности, показаны пунктирными линиями вверху рисунка. ( C ) Показаны изменения положения пика (синие квадраты) и ширины линии (красные треугольники) в зависимости от периода решетки. Пунктирная линия указывает длину волны, на которой порядок решетки переходит от затухающего к излучательному характеру. Порядок решетки в заштрихованной области нечеткий.

Усиление SEIRA коллективными резонансами.

Прямая идентификация вибрационных сигнатур монослоев белка достигается с помощью этого коллективного возбуждения. Здесь белковый слой наносится на субстраты наноантенны путем равномерного центрифугирования тонкой пленки фиброина шелка (подробно в SI Text ). Как упоминалось ранее, уникальное преимущество шелка заключается в том, что он позволяет точно контролировать толщину белковой пленки, варьируя ее концентрацию в растворе (22). Мы покрываем гомогенные пленки на подложках из наностержней толщиной до 2 нм, что соответствует по существу одному монослою белка.Атомно-силовая микроскопия (АСМ) используется для подтверждения однородности и толщины пленки. Первоначально сканирование наконечника выполняется в контактном режиме, чтобы соскрести пленку до кремниевой подложки. Последующие измерения при уменьшенной силе затем используются для определения толщины пленки (рис. 4 A ). Комбинация измерений АСМ и профилометра подтвердила линейную зависимость толщины пленки от концентрации раствора.

Рис. 4.

CEIRA сигнал шелковых пленок.( A ) Толщина шелковой пленки измеряется с помощью атомно-силового микроскопа для пленки толщиной 4 нм. ( B ) Колебательные моды амида-I и II костного мозга белка. ( C ) Спектры отражения от периодической матрицы 1,6 мкм до (пунктирная линия) и после покрытия белковой пленки толщиной 2 нм (сплошная линия). Пунктирные вертикальные линии указывают положения пиков абсорбции амидов белка I и II. ( D ) Разностные спектры поглощения массивов, спектральные характеристики которых до белкового покрытия приведены на рис.3 В .

Как показано на фиг. 4 C , полосы поглощения белка отчетливо заметны в оптических спектрах, полученных с антенных решеток, покрытых белком, с периодичностью 1,6 мкм. Провалы в плазмонном отклике в результате полос поглощения амидов I и II показаны на рисунке при 1660 и 1537 см -1 , соответственно. Емкостная загрузка антенны белковым слоем приводит к небольшому смещению плазмонных резонансов в красный цвет (26, 27) (штриховая кривая на рис.4 С ). Этот сдвиг корректируется с помощью процедуры подбора полиномов в измерениях разностного спектра (Δ R / R 0 = R до / R 0 - R после / R 0 , где R 0 - сигнал отражения от опорного зеркала). На рис. 4 D показаны разностные спектры периодического и рандомизированного массивов. Сигналы с повышенным поглощением, значительно превышающие уровень шума, наблюдаются для антенных решеток с малой шириной линии (1.Периодичность 6 мкм). Контрольные измерения проводились на голой кремниевой подложке с белковыми пленками одинаковой толщины в области, удаленной от любых изготовленных наноантенн. Абсорбционные особенности контрольных образцов не наблюдались. Наблюдаемый сигнал (Δ R / R 0 ) в 6,8% в периодических структурах почти на порядок выше, чем в рандомизированном массиве, где разностные сигналы составляли 0,9%. Это наблюдение согласуется с повышенной интенсивностью ближнего поля, предсказанной с помощью моделирования FDTD (рис.2 А ).

Для расчета коэффициента усиления ближнего поля мы сравнили усиленный сигнал, полученный от периодической матрицы 1,6 мкм, с ожидаемым сигналом отражения от шелковой пленки толщиной 2 нм на голой кремниевой подложке. Поскольку сигнал от белковых пленок на голом кремнии ниже уровня шума, вместо этого мы провели измерения спектроскопии поглощения ИК-отражения (IRRAS), чтобы получить ожидаемое значение сигнала поглощения для нормально падающего света. Частотно-зависимая диэлектрическая функция шелковой пленки была экспериментально определена путем подгонки измеренного сигнала IRRAS к модели лоренцевского осциллятора (28).Для тонкой пленки (т.е. t λ), нанесенной на металлическую подложку, сигнал отражения приблизительно определяется выражением (10): где θ - угол падения, t - толщина пленки и ε 2 = ε 2, Re + i ε 2, Im - диэлектрическая функция слоя шелка. Измерения IRRAS выполняются под углом скольжения (80 °) для белковой пленки толщиной 2 нм, нанесенной на слой золота толщиной 100 нм, нанесенный на кремниевую подложку. Падающий свет поляризовался в плоскости падения.Резонансные частоты, силы осцилляторов и полуширины модели осциллятора Лоренца для ε 2 , были изменены, чтобы получить соответствие с данными, используя уравнение. 3 . Расчетный сигнал разностного поглощения 4,7 × 10 -2 % получен с использованием трехслойных уравнений Френеля и ε 2 , подогнанных с помощью измерений IRRAS. Для точной оценки коэффициента усиления нам также необходимо включить следующие факторы (подробности см. В тексте SI ).Усиленный сигнал в основном исходит от небольшого количества молекул в непосредственной близости от наконечников наностержней N 2 ( n = 63 - количество строк и столбцов). Во-вторых, в отличие от исследований, проведенных с самоорганизующимися монослоями (SAM) (7⇓⇓⇓⇓⇓ – 13), здесь молекулы белка физадсорбируются (см. SI Text ), что приводит к следующим отличиям. () В отличие от SAM, дипольные моменты перехода физадсорбированных белков не имеют фиксированной ориентации относительно нормали к поверхности металла.Соответственно, мы ожидаем, что приблизительно одна треть диполей перехода молекул на концах наностержней вносит вклад в сигнал поглощения (см. SI Text ). ( ii ) Кроме того, в отличие от хемосорбции, отсутствие молекулярного связывания с поверхностью металла исключает какой-либо вклад химических эффектов. ( iii ) Наконец, учитывая, что шелковая пленка имеет толщину всего 2 нм, маловероятно, что метод физического осаждения приведет к такой же степени равномерного покрытия по вертикальным боковым стенкам высотой 70 нм наших наностержней, как это было бы возможно с помощью SAM метод.Принимая это во внимание, мы оценили усиление сигнала в диапазоне 10 4 –10 5 (см. SI Text ). Такие большие улучшения позволяют нам обнаруживать сигналы поглощения даже в необработанных спектральных измерениях от однослойных белковых пленок с помощью коммерческого ИК-Фурье микроскопа. Объем обнаружения антенны был рассчитан с учетом боковой площади наностержней и толщины однослойной белковой пленки. При том, что плотность протеина 1.4 г / см 3 (29) и молекулярная масса ≈375 кДа (30), по нашим оценкам, измеренные сигналы поглощения получены от ≈300 зептомолей для всего массива, что соответствует только 145 молекулам шелка на антенну (см. SI Текст ). Большое отношение сигнал / шум, достигнутое в наших измерениях, указывает на то, что мы должны иметь возможность наблюдать колебательные сигнатуры от даже меньших количеств белковых молекул до нескольких десятков зептомолей.

В дополнение к сильному усилению, наблюдаемому для коллективных резонансов, мы наблюдаем вариации формы линий поглощения при изменении спектрального перекрытия между резонансами антенны и полосами амидных белков.Мы объясняем это экспериментальное наблюдение, используя формализм неравновесной функции Грина, основанный на модели, который успешно применяется в молекулярной / наноэлектронике (20–21). Сила формализма NEGF состоит в том, что он обеспечивает естественную основу для описания волновой природы элементарных возбуждений (электронов, фононов, вибронов и т. Д.) В присутствии некогерентных и диссипативных процессов. Концептуально система разделена на наноантенну и белковую нагрузку, управляемую возбуждением плазмонных резонансов, как показано на рис.5 А . Прямым поглощением падающего света белковой нагрузкой пренебрегают, поскольку ожидается, что это поглощение будет очень слабым. Связь падающего света с наноантенной выражается с помощью матрицы собственной энергии [Σ inc ], антиэрмитова компонента которой Γ inc = [Σ inc - Σ inc + ] является уширением резонанса плазмонной антенны за счет радиационной связи. Колебательные поглощения молекул включены в гамильтониан антенна / белок [ H Ant + Load ] с использованием матрицы связи [κ Ant, Pro ].Эта матрица предназначена для получения единичного пропускания в спектральных областях, далеких от полос поглощения. Комбинация провалов осциллятора Лоренца в прочности матрицы используется для учета полос поглощения в спектрально связанных областях. Отраженный свет рассчитывается через второй член собственной энергии [Σ ref ] с Γ ref = [Σ ref - Σ ref + ], который аналогичным образом учитывает открытое граничное условие. к идеально совпадающим слоям (PML), используемым в симуляциях FDTD.Интенсивность отраженного света получается по формуле R = tr inc G Ant + Load Γ ref G Ant + Load + ). Здесь [ G Ant + Load ] = [(ℏω) I - H Ant + Load - Σ inc - Σ ref ] −1 - функция Грина система антенна / белок связана с открытыми границами, и [ I ] представляет собой матрицу идентичности.Запаздывающая функция Грина [ G Ant + Load ] представляет собой частотно-зависимую неэрмитову матрицу, включающую комплексные члены собственной энергии, посредством которых учитывается радиационное / безызлучательное затухание плазмонных возбуждений. Линии поглощения модели определены как осцилляторы Лоренца при 1660 см −1 и 1537 см −1 с шириной 30 см −1 . Как показано на рис. 5 B , для полосы амида-II, когда существует точное совпадение между резонансом плазмонной антенны и полосой поглощения, форма спектральной линии является лоренцевой.Для слегка расстроенного резонанса поглощения, такого как для амида-I, явно заметна асимметричная форма линии типа Фано. Относительная сила резонансов поглощения обусловлена ​​относительной силой связи падающего инфракрасного излучения с полосой колебаний белка. Как и ожидалось, с помощью расстройки резонанса антенны можно модулировать относительную силу поглощения полос колебаний (рис. 5 C ).

Рис. 5.

Иллюстрация модели. ( A ) Падающее световое излучение, возбуждающее антенну, и связь между антенной и ее белковой нагрузкой описываются формализмом NEGF.( B ) Модель воспроизводит симметричные (асимметричные) формы линий, когда антенна находится в резонансе (смещении) с полосой амида-II (1,537 см -1 ). ( C ) Разностные спектры антенны, резонанс которой настроен на 1450 см -1 (красная кривая) и 1700 см -1 (зеленая кривая). Относительная сила пиков поглощения контролируется резонансом наноантенны.

Шелковая пленка как ближнепольный зонд.

Возможность контролировать толщину пленок шелкового протеина от нескольких нанометров до нескольких микрометров дает уникальную возможность исследовать поведение наностержневой антенны в ближнем поле.Из-за быстрого затухания сильно усиленных ближних полей по мере удаления от поверхностей наностержней (как можно увидеть в моделировании FDTD на рис. 2 A ) ожидается, что насыщение усиления произойдет для пленок толщиной до 40 нм. . Хотя численные расчеты позволяют лучше понять это наблюдение, мы используем шелковые пленки в качестве зонда ближнего поля и экспериментально демонстрируем поверхностный характер усиления, варьируя толщину пленки (2, 4, 20, 40 и 100 нм) на идентичных узорах. подложки наноантенны.Рис. 6 A показывает разностные спектры поглощения для периодической решетки 1,6 мкм с L = 1100 нм. Измерения также производятся для периодической структуры с периодичностью 2 мкм и рандомизированного массива для стержней той же длины. Сила сигнала поглощения (амид-I) представлена ​​как функция толщины пленки на рис. 6 B для всех структур (сигналы нормализованы с учетом разницы номеров наноантенн в каждом массиве). Увеличение силы сигнала поглощения является значительным при увеличении толщины белковой пленки с 2 до 20 нм, но кажется, что она насыщается, когда толщина достигает 40 нм.Такое поведение контрастирует с устойчивой линейной зависимостью, которую можно было бы ожидать от закона Бера-Ламберта для очень тонких пленок (подробности см. В SI Text ). При толщине пленки более 100 нм можно наблюдать объемные сигналы инфракрасного поглощения от толстых белковых пленок. Другие важные наблюдения на рис. 6 заключаются в следующем. Обе периодические решетки с коллективным резонансом показывают заметно более высокие сигналы, чем рандомизированные решетки, в соответствии с обсуждением, представленным выше. Согласованность данных периодических образцов подчеркивает повторяемость измерений CEIRA на подложках с литографическим рисунком.Наконец, экспериментально измеренное насыщение усиления в результате затухания распределения интенсивности ближнего поля подтверждается численным расчетом объемов выборки (для периодической матрицы 1,6 мкм). Для заданной толщины шелковой пленки, t , объемы вычисляются из FDTD путем суммирования по сеткам моделирования, которые находятся на расстоянии t от поверхности стержня и имеют интенсивность ближнего поля> 1 / e 2 от среднего максимума. Согласие между рассчитанными модовыми объемами и насыщением сигнала поглощения сильно подчеркивает поверхностную природу эффекта CEIRA.

Рис. 6.

Silk как зонд ближнего поля. ( A ) Разностные спектры для периодической матрицы с стержнями d = 1,6 мкм и длиной 1100 нм для различной толщины шелковой пленки. В легенде указаны значения толщины. ( B ) Сила сигнала характеристики поглощения амида-I (левая ось) как функция толщины пленки для периодических и рандомизированных массивов 1,6 и 2 мкм (массивы имеют стержни длиной 1100 нм). Сигналы нормализованы, чтобы учесть различное количество стержней в каждом массиве.Пунктирная зеленая линия показывает зависимость вычисленного объема выборки от толщины шелковой пленки для периодической антенной решетки 1,6 мкм.

Благодарности

Мы благодарим Озгура Сахина за измерения AFM, Peng Wang / Bruker Optics за измерения IRRAS и Майка Экинса за иллюстрации. Эта работа частично поддержана малыми грантами Национального научного фонда для исследовательских исследований ECCS-0849603 (H.A.), наградой New Research Center Массачусетского центра наук о жизни (H.A.), награда за катализатор декана инженерного колледжа Бостонского университета (для H.A. и S.E.), а также Фотонного центра и лаборатории армии Бостонского университета (для H.A. и S.E.). Исследования фиброина шелка частично спонсируются Исследовательской лабораторией армии США, контрактом W911 NF-07-1-0618 Управления исследований армии США и Управлением перспективных исследовательских проектов Министерства обороны США.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *