Нирс вшэ: Конкурс научно-исследовательских работ студентов — Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»

Содержание

Победители НИРС-2021 будут получать стипендии

Ученый совет НИУ ВШЭ по итогам заседания 29 сентября утвердил Положение о стипендии победителям конкурса студенческих научно-исследовательских работ НИУ ВШЭ — 2021. Теперь победители конкурса НИРС-2021, занявшие 1-е место, смогут получать стипендии в размере 20 тысяч в месяц.

Финансовая поддержка распространится на все 24 направления, затрагивая и бакалавров, и магистрантов, и аспирантов.

Иван Груздев, директор по внутренним исследованиям и академическому развитию студентов

Одним из важных инструментов поощрения победителей конкурса НИРС традиционно было получение дополнительных баллов при назначении повышенной государственной академической стипендии (ПГАС) за достижения в научно-исследовательской деятельности. Однако из-за сокращения размера ПГАС этот инструмент фактически перестал работать. Поэтому Ученый совет поддержал идею учредить отдельную стипендию, назначаемую студентам, занявшим 1-е место в конкурсе. Это позволит увеличить интерес к конкурсу НИРС среди обучающихся и станет дополнительным стимулом для активного вовлечения студентов в научную работу.

Как будет организовано получение стипендий

Стипендию могут получать студенты и аспиранты Вышки всех кампусов в течение 10 месяцев учебного года, занявшие 1-е место в конкурсе НИРС. В случае соавторства стипендия делится в равных долях. Есть четыре варианта получения стипендии (на примере победителей конкурса 2021 года):
 

  1. Студенты Вышки невыпускных курсов получают стипендию с января по июнь и с сентября по декабрь 2022 года.
     
  2. Студенты, которые выпускаются из Вышки в 2022 году и поступают в магистратуру, претендуют на получение стипендии с января по июнь и с сентября по декабрь 2022 года.
     
  3. Магистры Вышки, поступающие в аспирантуру, будут получать выплаты с января по июнь 2022-го и с ноября 2022-го по февраль 2023 года.
     
  4. Победители, не являющиеся студентами/аспирантами Вышки, активируют свои стипендии в тот момент, когда появляется аффилиация с университетом:

 при поступлении в бакалавриат/магистратуру стипендия будет выплачиваться с сентября 2022-го по июнь 2023 года;

 при поступлении в аспирантуру стипендия будет выплачиваться с ноября 2022-го по август 2023 года.

Подать работу на конкурс НИРС можно до 15 октября включительно. Принять участие в конкурсе по 24 направлениям могут студенты бакалавриата, специалитета и магистратуры, а также выпускники этого года. Помимо новой стипендии, победители и лауреаты конкурса получают еще множество призов, среди которых преимущества при зачислении в магистратуру и академические travel-гранты. Подробности тут.

Больше информации — на сайте конкурса. Задать все вопросы можно оргкомитету: Татьяна Захарова ([email protected] или тел. 8 (495) 772 95 90, доб. 27778).

продолжается прием заявок – Новости – Вышка для своих – Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»

1 сентября в Вышке стартовал Конкурс научно-исследовательских работ студентов (НИРС-2021). Подать работу может любой студент бакалавриата, магистратуры или выпускник 2021 года до 15 октября включительно. Победители прошлых лет рассказали нам, почему стоит участвовать в конкурсе, даже если у тебя есть сомнения.

Участие в конкурсе — это хорошая возможность использовать свою курсовую или диплом, чтобы получить оценку затраченных на них усилий. Победа в конкурсе позволяет претендовать на стипендии, академический travel-грант и другие бонусы, о которых можно прочитать тут.

Мы поговорили с победителями и лауреатами НИРС-2020, которые тоже не были уверены в своих работах и попросили поделиться опытом.

Евгения Кричевер
1-е место, направление «Интегрированные коммуникации»

Во время моей учебы на 4-м курсе я подавала свою курсовую работу за 2-й курс на конкурс НИРС. Я очень хотела попробовать свои силы и подать работу, но постоянно оттягивала этот момент, потому что была в ней не уверена. Мне кажется, такое часто бывает, когда ты не можешь оценить, насколько твоя работа действительно хорошо написана и интересна, потому что для тебя это кажется чем-то очевидным и простым, ведь ты потратил целый год на то, чтобы разобраться в определенной теме.

Так получилось, что именно моя научная руководительница, Любовь Цыганова, посоветовала подать работу со словами: «Вы просто попробуйте, почему нет?». Помню, что загрузила исследование за 1,5 часа до дедлайна и вообще не надеялась, что что-то смогу выиграть, потому что мне казалось, что точно есть работы намного сильнее и интереснее, не такие банальные. Как выяснилось через 1,5 месяца, я сильно недооценивала свою работу и заняла первое место. Тогда я поняла, что вообще не стоит бояться писать исследования, даже если кажется, что что-то не получается, в работе всегда найдется что-то интересное и важное. На тот момент я начинала работать над дипломом, и эта победа подарила мне больше уверенности и мотивации.

Читать далее 

Мне кажется, что единственный и важный совет — это перестать думать о том, что твоя работа недостойна участия в конкурсе, что она недостаточно хороша. НИРС — это прекрасная возможность получить профессиональный фидбэк о своей работе, а также поддержку для ее дальнейшей публикации. 

Если говорить про технические составляющие заявки, то очень важно сократить работу до определенного размера, при этом сохранив общую идею исследования и достаточно подробное описание его методологии и результатов.

А еще обязательно перепроверить название работы в своей заявке.

Любовь Кузьмина

1-е место, направление «Искусство и дизайн»

По поводу недостаточно сильной работы: думаю, это вопрос скорее моей самооценки, нежели самой работы. Мне всегда хочется сделать лучше, больше, это нормальное желание, которое, к сожалению, порой не дает мне размышлять здраво. А вдруг я не права? А вдруг я сделала что-то не так? Но победа в конкурсе ярче всего говорит о том, что я все сделала правильно.

Нельзя позволять плохим мыслям влиять на твои решения, в данном случае — отправить работу на конкурс. Конечно отправлять, сколько бы сомнений ни было.

Данил Аракелян
Лауреат, направление «Философия»

Почему я не был уверен в своей работе? Ну, во-первых, я не был уверен, что моя работа вообще подходит под тот профиль, на который я ее подавал. Работа называлась «Проблема оправдания войны в российском православии» и писалась на теолого-философской магистратуре «Философия и история религии». Профиль же конкурса назывался просто «Философия», а вот философии в моей работе было не очень много. Кроме того, я сам не считал свою работу хорошей: в ней были явные недочеты, использовалась не вся возможная литература, не вполне ясной оставалась логика рассуждений.  

Читать далее 

Я, конечно, не волновался, потому что это просто конкурс и от участия в нем я ничего не терял, но на многое и не рассчитывал. Поэтому, став лауреатом, даже удивился.

Я бы посоветовал тем, кто соберется отправлять работу на НИРС, попытаться уместить каждый параграф в две страницы, включая введение и заключение. По моим подсчетам, этого вполне достаточно для требуемого объема по знакам. Лучше выделить на подготовку работы дней пять, чтобы не сильно спешить и каждый день обрабатывать пару параграфов. Сначала можно умещать каждый абзац в одно-два предложения, затем все собирать воедино, а потом при необходимости снова сжимать текст.

Варвара Бурцева

3-е место, направление «Филология»

Изначально я вообще не планировала подавать работу на НИРС. Когда мне посоветовал это сделать мой научный руководитель, я была настроена весьма скептически, потому что в своей работе я видела два серьезных минуса. Тема была слишком «моей» и, как мне казалось, не могла быть интересной или объективно ценной для стороннего читателя. Сам же ход развертывания мысли и ее изложения был, напротив, «не мой» — это была моя первая работа, и из-за необходимости говорить на научном языке, постоянного перечитывания и редактуры я в какой-то момент утратила способность воспринимать свой текст как что-то цельное.

Главное, что я могу посоветовать, — это не бояться и не надеяться. Совет очень общий, зато актуальный для всех направлений. Не бояться потому, что, подавая работу на НИРС, вы ничего не теряете, и потому, что собственную работу сложно оценить по достоинству. А не надеяться не только во избежание разочарования, но и потому, что это делает вашу работу более честной и, значит, более ценной. Постарайтесь сделать ее понятной и легко читающейся — на этом ваше дело сделано, остается ждать.

В конкурсе есть 24 направления по самым разным областям науки, каждое из которых делится на две номинации (кроме «Математики»): для бакалавров и для магистрантов и выпускников 2021 года.  Это позволяет сделать оценку работ более справедливой. Внимательно ознакомьтесь с правилами и рекомендациями перед подачей работы.

Константин Михайлович Поливанов
Член оргкомитета направления «Филология»

В работах студентов (бакалавров и магистров), которые подаются на конкурс НИРС, члены жюри ценят прежде всего свежесть предлагаемых идей, новизну взгляда, новый материал, который позволяет по-новому посмотреть на известное прежде, смелость гипотезы, логичность и последовательность аргументации.

Так как работы студентов не должны превышать установленный объем, очень советую не увлекаться обзором литературы, кратко характеризовать лишь те работы, которые необходимы для поддержки собственных рассуждений или, напротив, обоснованно опровергаются в конкурсной работе.

И главное, не бойтесь подавать работы на конкурс: удачные студенческие исследования совсем не обязательно бывают написаны гладким языком, какие-то звенья могут быть прописаны не идеально. Старшие коллеги, как правило, бывают снисходительны к техническим недочетам, если сама работа интересна.

Больше информации — на сайте конкурса. Задать все вопросы можно оргкомитету: Татьяна Захарова ([email protected] или тел. 772 95 90, доб. 22557).

30 сентября


«Вышка для своих» в Telegram

В Высшей школе экономики стартовал Конкурс научно-исследовательских работ среди студентов :: КГПУ им. В.П. Астафьева

Высшая школа экономики начинает приём работ на ежегодный Конкурс лучших научно-исследовательских работ студентов (НИРС). Подать заявку можно  до 15 октября  на сайте Конкурса.
Работы принимаются на русском и английском языках. Проверка работ проходит анонимно экспертами предметной комиссии по каждому направлению. Результаты конкурса будут объявлены в декабре.

О конкурсе

Конкурс научно-исследовательских работ студентов (НИРС) проводится для поддержки исследовательской деятельности среди студентов. Впервые конкурс прошёл в 2003 году и предполагал участие только вышкинцев. С 2018 года все номинации открыты для студентов других российских и зарубежных университетов.

Сейчас в конкурсе НИРС есть 22 направления, на которые можно подать работу: от “технических наук и прикладной математики” до “искусства и дизайна” (полный список направлений ). В каждом направлении, кроме математики, проводится два отдельных конкурса: для студентов бакалавриата и для магистрантов и выпускников 2019 г. 

Участники и процесс подачи

Для участия в конкурсе нужно иметь авторскую исследовательскую работу и быть студентом бакалавриата или магистратуры или выпускником текущего года любого российского или зарубежного ВУЗа.

Подача и проверка работ проходит онлайн, поэтому можно принять участие в конкурсе, не приезжая в Москву. Ознакомиться с правилами и рекомендациями по оформлению, а также подать работу вы можете на странице.

Бонусы

1. Победители и лауреаты конкурса получат диплом в портфолио, который даёт баллы для получения повышенной стипендии и может пригодиться при поступлении в магистратуру.

2. Победители из числа студентов, аспирантов и сотрудников НИУ ВШЭ получают трэвел-грант для поездки с докладом на конференцию или летнюю школу. Студенты-победители конкурса из других университетов имеют возможность «активировать» свой грант, если начнут учиться или работать в Вышке.

3. Для лучших участников конкурса в Вышке ежегодно проходят мероприятия, позволяющие молодым ученым наладить научную коммуникацию. В 2018 году такой площадкой для общения стала школа Academicus Modus в Вороново, а в этом году победители и лауреаты были приглашены на выездной семинар студенческого научного авангарда в башню Mercury.

С более подробной информацией можно ознакомиться на сайте Конкурса.

Если у вас остались вопросы, обращайтесь в Оргкомитет по адресу:
[email protected] или телефону: 772 95 90 доб. 27776. Контактное лицо: Титова Елена Давидовна.

Конкурсы

29.09.2021

Ежегодный XVIII открытый конкурс НИУ ВШЭ научно-исследовательских работы студентов (НИРС-2021)

Конкурс студенческих работ НИУ ВШЭ ежегодно позволяет молодым ученым попробовать себя в настоящем академическом состязании, где ведущие эксперты и специалисты Высшей школы экономики оценивают их исследовательские работы.

В этом году принять участие в конкурсе можно до 15 октября.

Принять участие в конкурсе может любой студент российского или зарубежного вуза, а также выпускники 2021 года. Если у студента уже есть курсовая работа или любая публикация, то первый шаг уже сделан. Второй шаг — отредактировать файл работы по критериям конкурса. И третий — загрузить его на сайт.

Как устроен конкурс и что нового в НИРС-2021? С каждым годом в конкурсе принимает участие все больше студентов, а вместе с ними растет количество направлений. Сейчас в конкурсе 24 номинации: от математики и медиакоммуникаций до юриспруденции и дизайна. В этом году впервые можно будет подать свою работу на направление «Демография». С полным списком направлений можно ознакомиться на сайте конкурса.

Подать работу на конкурс можно не только на русском и на английском языках. В номинациях «Философия», «Филология» и «Мировая экономика, мировая политика и востоковедение» добавились французский, немецкий и испанский языки.

В каждом направлении, кроме математики, отдельно оцениваются бакалавры и магистранты/выпускники текущего года. Подача и оценка работ происходит полностью онлайн. Каждая работа получат две независимые оценки экспертов в объективном формате – работа проверяется в анонимизированном виде. Подробнее о правилах и требованиях к подаче работ можно прочитать здесь.

Подробная информация об условиях проведения конкурса НИРС — на официальном сайте.

Научные события : Научно-организационный отдел : АлтГТУ

Национальный исследовательский университет Высшая школа экономики (НИУ ВШЭ) сообщает о старте Конкурса научно-исследовательских работ студентов – 2020.
Принять участие в Конкурсе научно-исследовательских работ студентов (НИРС) может любой учащийся или выпускник 2020 года российского и зарубежного вуза.
Подать работу на конкурс необходимо с 1 сентября по 15 октября 2020.
Научно-исследовательская работа подается в электронном виде на сайте конкурса. Ее проверка происходит онлайн, поэтому можно принять участие в конкурсе, не приезжая в Москву. Ознакомиться с правилами, специальными требованиями и рекомендациями по оформлению, а также подать работу можно здесь: https://www.hse.ru/nirs/condition_NIRS.
В каждом направлении, кроме математики, предусмотрены две номинации: для бакалавров и для магистрантов и выпускников 2020 года. Проверка работ проводится анонимно экспертами по каждому направлению за исключением работ по математике.
Итоги конкурса планируется подвести в декабре 2020 года, они будут размещены на официальной странице НИРС: https://www.hse.ru/nirs/.
Победителям и лауреатам конкурса вручаются дипломы. Также предусмотрена поддержка победителей, способствующая дальнейшему академическому развитию:
Дополнительные баллы к портфолио при поступлении на некоторые программы магистратуры;
Баллы для заявки на повышенную государственную академическую стипендию.
Направления:

  • Бизнес-информатика
  • Государственное и муниципальное управление
  • Естественные науки
  • Интегрированные коммуникации
  • Искусство и дизайн
  • История
  • Компьютерные науки
  • Культурология
  • Лингвистика
  • Математика
  • Медиакоммуникации
  • Менеджмент
  • Мировая экономика, мировая политика и востоковедение
  • Образование
  • Политология
  • Психология
  • Социология
  • Технические науки и прикладная математика
  • Филология
  • Философия
  • Финансы
  • Экономика
  • Юриспруденция

Подробная информация об условиях проведения конкурса НИРС — на официальном сайте конкурса: https://www.hse.ru/nirs/

Научные события : Научно-организационный отдел : АлтГТУ

Конкурс студенческих работ НИУ ВШЭ ежегодно позволяет молодым ученым попробовать себя в настоящем академическом состязании, где ведущие эксперты и специалисты Высшей школы экономики оценивают их исследовательские работы.
В этом году принять участие в конкурсе можно до 15 октября.
Принять участие в конкурсе может любой студент российского или зарубежного вуза, а также выпускники 2021 года. Если у студента уже есть курсовая работа или любая публикация, то первый шаг уже сделан. Второй шаг — отредактировать файл работы по критериям конкурса. И третий — загрузить его на сайт.
Направления конкурса:

  • Бизнес-информатика
  • Государственное и муниципальное управление
  • Демография
  • Естественные науки
  • Интегрированные коммуникации
  • Искусство и дизайн
  • История
  • Компьютерные науки
  • Культурология
  • Лингвистика
  • Математика
  • Медиакоммуникации
  • Менеджмент
  • Мировая экономика, мировая политика и востоковедение
  • Образование
  • Политология
  • Психология
  • Социология
  • Технические науки и прикладная математика
  • Филология
  • Философия
  • Финансы
  • Экономика
  • Юриспруденция

Подать работу на конкурс можно не только на русском и на английском языках. В номинациях «Философия», «Филология» и «Мировая экономика, мировая политика и востоковедение» добавились французский, немецкий и испанский языки.
В случае, если ваша работа им не соответствует требованиям, вы узнаете об этом в течение 7 рабочих дней с момента подачи. Нарушение требований не означает, что вы больше не можете участвовать в конкурсе. Если срок подачи ещё не истек, то у вас есть время исправить недочеты и отправить работу повторно!
Подробная информация об условиях проведения конкурса НИРС — https://www.hse.ru/nirs/new_conditions

Конкурс НИРС НИУ ВШЭ — Объявления — Новости

Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики» приглашает  студентов и выпускников Алтайского государственного университета 2021 года к участию в XVIII открытом конкурсе научно-исследовательских работ студентов (НИРС-2021). Конкурс проводится для выявления и поддержки наиболее талантливых и творчески активных студентов, стимулирования исследовательской работы среди студентов.

Это открытый конкурс – участие  нем могут принять участие студенты как НИУ ВШЭ, так и других вузов. Работы оцениваются экспертами предметных комиссий в анонимизированном виде. В конкурсе могут принимать участие также и выпускники текущего года выпуска российских и зарубежных образовательных организаций высшего образования.

Подать работу можно на сайте конкурса.

Работы принимаются с 1 сентября по 15 октября 2021 года. Итоги будут подведены не позднее декабря 2021 года.

По каждому направлению проводится два конкурса: среди бакалавров; среди магистров и выпускников текущего года. По математике проводится общий конкурс среди всех студентов, подавших работу. Подробная информация о научных направлениях (номинациях), по которым проводится конкурс НИРС-2021, размещена на сайте.

Направления конкурса:

  • Бизнес-информатика
  • Государственное и муниципальное управление
  • Демография
  • Естественные науки
  • Интегрированные коммуникации
  • Искусство и дизайн
  • История
  • Компьютерные науки
  • Культурология
  • Лингвистика
  • Математика
  • Медиакоммуникации
  • Менеджмент
  • Мировая экономика, мировая политика и востоковедение
  • Образование
  • Политология
  • Психология
  • Социология
  • Технические науки и прикладная математика
  • Филология
  • Философия
  • Финансы
  • Экономика
  • Юриспруденция
Вопросы просим направлять на электронную почту координаторов конкурса: [email protected]

Что такое одежда, соответствующая NIR? | Блог UF PRO

В этом сообщении блога:

Введение

Мы уверены, что вы, вероятно, сталкивались с темой соответствия NIR и сталкивались с некоторыми проблемами. На бумаге это соответствие является обязательным; Поэтому многие люди задают нам такие вопросы, как «Является ли MultiCam NIR?» Некоторые вопросы имеют смысл, а другие — нет.

Вот почему так важно затронуть эту тему и развенчать некоторые распространенные заблуждения по этому поводу.Начнем легко.

Инфракрасное зрение существует уже миллион лет. Лягушки, змеи и рыбы относятся к числу многих животных, обладающих инфракрасным зрением. Но не млекопитающие. Инфракрасное зрение отсутствует у млекопитающих (включая людей), потому что в глазах млекопитающих отсутствуют соответствующие рецепторы.

Но люди могут компенсировать этот недостаток, улучшив обработку информации. Видите ли (это не каламбур), NIR-спектр предлагает нам много информации, которую мы обычно упускаем, тем более что мы действительно зависим от света в видимом спектре, чтобы иметь возможность увидеть, что происходит вокруг нас ночью. .

Это не так уж и плохо, потому что, несмотря на то, что ночью плохо видно, отсутствие видимого света после захода солнца позволяет нам оставаться невидимыми, давая нам возможность подключиться к спектру ближнего ИК-диапазона для наблюдения и сбора данных.

И поэтому есть приборы ночного видения. Технология, лежащая в их основе, в основном связана с войной, поскольку способность видеть в темноте была чрезвычайно полезна для военных.

Первые успешные приборы ночного видения были разработаны в 1939 году в Германии для использования на борту танков «Пантера».Эти начальные устройства помечены как поколение 0.

Источник изображения Wikipedia.com

Следующей важной вехой в развитии ночного видения стала война во Вьетнаме, в результате которой появилась технология поколения 1. Устройства ночного видения поколения 0 и поколения 1 работали за счет усиления окружающего видимого света. Дальнейшие исследования позволили последующим поколениям использовать не только окружающий звездный и лунный свет, но и другие спектры, включая NIR.

NIR определяется

Вы, наверное, знаете это, но давайте все равно о нем упомянем.NIR означает ближний инфракрасный свет и используется для обозначения света, выходящего за пределы видимого диапазона — в основном того, который измеряется в диапазоне длин волн от 780 до 2500 нм.

Источник изображения: Wikipedia.com

Помимо преимуществ, которые он предлагает для военных, спектральный диапазон NIR также полезен в науке. Исследователи используют ближний инфракрасный диапазон, чтобы получить представление о химической структуре материалов. В частности, можно проверить различные химические связи различных материалов, посмотрев на их поглощающую способность в ближнем инфракрасном диапазоне.

Как упоминалось ранее, ближний ИК-диапазон не может быть обнаружен невооруженным глазом, что делает его полезным в тактическом пространстве. Еще кое-что, что делает NIR: при использовании для визуализации световых форм он сохраняет больше деталей на больших расстояниях. Более того, туман и дымка не так легко разрушают его, как более короткие ИК-волны. Кроме того, это приводит к изображениям, которые (для людей) более четкие и понятные.

Обратной стороной визуализации в ближнем ИК-диапазоне является «отсутствие цвета». NIR находится за пределами нашего видимого цветового диапазона, и это мешает нам видеть то, что мы воспринимаем как красный, зеленый или синий.

Другой недостаток — требование, чтобы свет ближней инфракрасной области исходил от источника, чтобы отражаться от объектов.

Как NIR влияет на одежду

Если вы спрятаны, и команда противника знает, что вы где-то где-то там, они будут очень стараться вас обнаружить. Этот основной факт тактической жизни заставляет вас быть вооруженными способностями обнаружения и избегания.

Лучшая технология, обеспечивающая возможность обнаружения и избегания, — это одежда, которую вы носите, поскольку она закрывает большую часть вашего тела.В дополнение к базовой защите от окружающей среды (дождь, солнце, ветер и т. Д.) Ваша одежда также обеспечивает платформу, на которую можно наложить камуфляжный узор. Другими словами, вы уже носите одежду; для того, чтобы они скрывали вас, их просто нужно адаптировать.

Источник изображения: Hyperstealth.com

Цель этой адаптации — настроить его таким образом, чтобы он нарушал очертания вашего тела с точки зрения человека, смотрящего в вашу общую сторону с расстояния.Это цель, и она достигается с помощью таких шаблонов, как MultiCam и Flecktarn.

Но с NIR есть одна особенность. Если хотите, подумайте о том, чтобы подобрать униформу к лесу. В этой среде есть кора, листья и почва — все они разные по оттенку и оттенку. Таким образом, камуфляж униформы нуждается в желтовато-коричневых, коричневых и зеленых тонах. Действительно тяжелая работа. Но что, если единственным цветом в лесу был зеленый?

Представьте себе. Зеленая кора, зеленые листья, зеленая почва. Это, безусловно, значительно упростило бы создание эффективного камуфляжного рисунка.

Ну, собственно, это и есть концепция маскирования NIR. Он фокусируется на одной длине волны (в нашем примере это зеленый цвет) и пытается соответствовать окружающей среде.

Мы выбрали в качестве примера зеленый цвет, потому что это то, что вы видите, когда смотрите в окуляр прибора ночного видения. Изображения зеленые. Вы когда-нибудь задумывались, почему это так? Это потому, что зеленый — это цвет, который человеческие глаза лучше всего переносят, когда им приходится смотреть через прибор ночного видения в течение длительного времени.

Хорошая вещь в NIR заключается в том, что он не переводит «цвет».Вместо этого он представляет свет разной степени интенсивности, отражающийся от таких объектов, как деревья, листва и почва. Согласование этого отраженного ближнего ИК-света с окружающей средой — это то, что мы называем соответствием ближнему ИК-диапазону.

Распространенное заблуждение состоит в том, что соответствие NIR является чем-то присущим цветам и маскировочным узорам. Дело в том, что соответствие NIR является свойством ткани и используемых на ней красителей.

Означает ли это, что в одном шаблоне — например, MultiCam — может быть несколько свойств NIR? Ответ положительный.Все зависит от типа используемого красителя или покрытия.

Источник изображения: Hyperstealth.com

Изображение выше лучше всего иллюстрирует то, что мы пытаемся передать. Здесь вы видите ткань с обычным рисунком MARPAT, но половина ее покрыта слоем, поглощающим в ближней инфракрасной области. Разница очевидна. Когда вы смотрите на него через камеру NVG, вы видите, что одна половина отражает свет, а другая половина его поглощает.

Таким образом, в некотором смысле соответствие NIR — это просто дополнительный слой камуфляжа поверх существующего рисунка вашей одежды.

Как производится одежда в соответствии с NIR

Теперь, разобравшись с ложью о том, что плохая производительность ближнего инфракрасного излучения является виной камуфляжа, мы можем перейти к решению другой важной проблемы.

Как и в случае с другими вопросами, вам нужно начать с самого начала. В нашем случае отправной точкой является ткань. PolyCotton и NyCo — очень удобные и прочные ткани, поэтому мы их используем. И поскольку они работают так хорошо, было бы неразумно искать замену в поисках улучшенных характеристик NIR.Вместо этого более разумный способ — это улучшить качество уже имеющихся у нас хороших тканей.

Так получилось, что есть несколько способов улучшить характеристики волокна в ближнем ИК-диапазоне. А именно их:

В последнем сегменте вы можете найти большой список добавок, но среди них в первую очередь красители. Как вкратце упоминалось выше в разделе «Определение ближнего ИК-диапазона», спектроскопия ближнего ИК-диапазона может использоваться для анализа химических связей; здесь тоже играет роль химический состав. Химические связи играют важную роль в областях впитывания ткани и могут быть изменены, чтобы сделать ткань более полезной.Адаптируя их, мы получаем все необходимое для достижения идеального камуфляжа.

«Так позвольте мне уточнить это», — скажете вы. «Вы хотите сказать, что Ranger Green может соответствовать требованиям NIR?» Да, именно это мы вам и говорим. Фактически, армия США дала толчок развитию нейлоновой нити CORDURA® 6,6, потребовав униформу, подходящую для пустыни, соответствующую требованиям NIR.

Технология

TrueLockTM EP была изобретена и обеспечила соответствие, необходимое для этой униформы. TrueLockTM изменяет ИК-сигнатуру волокна на этапе производства, делая эту сигнатуру присущей ткани.

Источник изображения: cordura.com

TrueLockTM — не единственный способ добиться низкого коэффициента отражения. Но все остальные подходы привязаны к материалам, а не к самим выкройкам. Помните, что соответствие NIR зависит от самой ткани, а не от визуального камуфляжа, который вы видите своими глазами.

Итак, краткий ответ на вопрос о том, как делать одежду, соответствующую NIR, — это использовать правильную ткань.

Outro

В современных тактических театрах операторы, пытающиеся остаться незамеченными, должны беспокоиться о более серьезных вещах, чем соблюдение NIR.Например, FLIR и другие передовые технологии обнаружения. Они работают, используя еще один человеческий недостаток — тепло тела.

Но это совершенно другая тема, которой мы займемся в будущем. Тем временем мы продолжим создавать маскировочную одежду в соответствии с действующими военными стандартами.

(PDF) Возникающая фотолюминесценция дефектных нанолистов диселенида ванадия

28. G. Froehlicher, E. Lorchat, S. Berciaud, «Прямое и непрямое излучение запрещенной зоны

и аннигиляция экситонов и экситонов в атомарно тонком

молибдена (дителлурид). MoTe2) // УФН.Ред. B 94, 085429 (2016).

29. HV Han, AY Lu, LS Lu, JK Huang, H. Li, CL Hsu, YC Lin, M.

H. Chiu, K. Suenaga, CW Chu, HC Kuo, WH Chang, LJ Li, и

Ю. Ши, «Повышение фотолюминесценции и восстановление структуры

монослоя MoSe2 путем обработки галогеноводородной кислотой», ACS Nano 10,

1454–1461 (2016).

30. N. Peimyoo, W. Yang, J. Shang, X. Shen, Y. Wang и T. Yu,

«Химически управляемое перестраиваемое световое излучение заряженных и нейтральных

экситонов в монослое WS2», ACS Нано 8, 11320–11329 (2014).

31. С. Моури, Ю. Мияучи и К. Мацуда, «Настраиваемая фотолюминесценция

монослоя MoS2 через химическое легирование», Nano Lett. 13, 5944–5948

(2013).

32. Б. Мукерджи, Н. Каушик, Р.П.Н. Трипати, А.М. Джозеф, PK

Мохапатра, С. Дхар, Б.П. Сингх, ГВП Кумар, Э. Симсек и

С. Лодха, «Модуляция интенсивности излучения экситонов монослой

плазмонная связь MoS2 через Au ”, Наука. Отчет 7, 41175 (2017).

33. H.Ли, X. Дуань, X. Wu, X. Zhuang, H. Zhou, Q. Zhang, X. Zhu, W. Hu,

P. Ren, P. Guo, L. Ma, X. Fan, X. Ван, Дж. Сюй, А. Пан, и X. Дуань,

«Рост нанолистов из сплава MoS2xSe2 (1-x) с полностью настраиваемым химическим составом и оптическими свойствами», J. Являюсь. Chem. Soc. 136,

3756–3759 (2014).

34. М. Д. Тран, Дж. Х. Ким и Ю. Х. Ли, «Настройка фотолюминесценции

однослойных дихалькогенидов переходных металлов», Curr. Прил. Phys. 16,

1159–1174 (2016).

35. С. Сусарла, А. Кутана, Дж. А. Хачтель, В. Кочат, А. Апте, Р. Вайтай, JC

Идробо, Б. И. Якобсон, К. С. Тивари и П. М. Аджаян, «Четвертичные

Дихалькогениды переходных металлов 2D. (TMD) с настраиваемой шириной запрещенной зоны »,

Adv. Матер. 29, 1702457 (2017).

36. З. Ван, З. Донг, Ю. Гу, Ю. Х. Чанг, Л. Чжан, Л. Дж. Ли, В. Чжао, Г.

Эда, В. Чжан, Г. Гринблат, С. А. Майер, Дж. К. В. Ян, CW Qiu и

ATS Wee, «Гигантское усиление фотолюминесценции в плазмонных гибридных структурах вольфрам-

диселенид-золото», Nat.Commun. 7,

11283 (2016).

37. Э. Паласиос, С. Парк, С. Бутун, Л. Лаухон и К. Айдын, «Усиленное излучение

из однослойных пленок MoS2 с использованием одной плазменной монодимерной наноантенны

», Прил. Phys. Lett. 111, 031101 (2017).

38. S. Wu, S. Buckley, AM Jones, JS Ross, NJ Ghimire, J. Yan, D.

G. Mandrus, W. Yao, F. Hatami, J. Vučković, A. Majumdar, and X. Xu,

«Управление двумерным экситонным излучением света через фотонный кристалл

tal», 2D Mater.1, 011001 (2014).

39. X. Gan, Y. Gao, K. F. Mak, X. Yao, R.-J. Shiue, A. van der Zande, M.

Trusheim, F. Hatami, TF Heinz, J. Hone и D. Englund,

«Управление скоростью спонтанного излучения монослоя MoS2 в нанополости фотонного кристалла

», Прил. . Phys. Lett. 103, 181119 (2013).

40. Дж. Ли, Дж. Хуанг, Б. Г. Самптер и М. Юн, «Оптоэлектронные свойства двухмерных гетероструктур из дихалькогенидов переходных металлов

,

, полученные методом деформации

,

», 2D Mater.4, 021016 (2017).

41. Z. Lin, A. Mccreary, U. Wurstbauer, B. Miller, JS Ponraj, Z. Xu, Z.

Lin, BR Carvalho, E. Kahn, R. Lv, R. Rao, and H. Терронес, «Дефект

, инженерия двумерных дихалькогенидов переходных металлов», 2D

Mater. 3, 022002 (2016).

42. П. К. Чоу, Р. Б. Якобс-Гедрим, Дж. Гао, Т. Лу, Б. Ю и Х.

Терронес, «Дефектно-индуцированная фотолюминесценция в монослое

полупроводниковых дихалькогенидов переходных металлов», ACS Nano 9,

1520–1527 (2015).

43. В. Карозо, Й. Ван, К. Фудзисава, Б. Р. Карвалью, А. Маккрири, С.

Фенг, З. Линь, К. Чжоу, Н. Переа-Лопес, А. Л. Элиас, Б. Кабиус, V.

,

Х. Креспи и М. Терронес, «Оптическая идентификация вакансий серы:

связанных экситонов на краях однослойного дисульфида вольфрама», Наука.

Доп. 3, e1602813 (2017).

44. А. Веаматахау, Б. Цзян, Т. Зайферт, С. Макута, К. Латам, М.

Канехара, Т. Тераниши и Ю. Тачибана, «Происхождение поверхностных ловушек

состояний в квантовой системе CdS. точки: взаимосвязь между зависящей от размера фотолюминесценцией

и состояниями ловушки вакансий серы, Физ.Chem.

Chem. Phys. 17. С. 2850–2858 (2015).

45. HY Jeong, SY Lee, TH Ly, GH Han, H. Kim, H. Nam, Z. Jiong,

BG Shin, SJ Yun, J. Kim, UJ Kim, S. Hwang и YH Lee ,

«Визуализация точечных дефектов в дихалькогенидах переходных металлов с использованием оптической микроскопии

», ACS Nano 10, 770–777 (2016).

46. Х. Нан, З. Ван, В. Ван, З. Лян, Ю. Лу, К. Чен, Д. Хе, П. Тан, Ф.

Мяо, Х. Ван, Дж. Ван, и З. Ни, «Сильная фотолюминесценция и обеспечение MoS2 через дефектную инженерию и кислородную связь»,

ACS Nano 8, 5738–5745 (2014).

47. Z. Zhang, J. Niu, P. Yang, Y. Gong, Q. Ji, J. Shi, Q. Fang, S. Jiang, H.

Li, X. Zhou, L. Gu, X. Wu и Y. Zhang, «Ван-дер-Ваальсовый эпитаксиальный рост

2D металлических монокристаллов диселенида ванадия и их сверхвысокая электропроводность

», Adv. Матер. 29, 1702359 (2017).

48. Х. Чжан, Л. Сан, Й. Дай, К. Тонг и Х. Хан, «Настраиваемые электронные

и магнитные свойства от структурного фазового перехода слоистого диселенида ванадия

», J.Wuhan Univ. Technol. Матер. Sci. Эд. 32,

574–578 (2017).

49. З.И. Попов, Н.С. Михалева, М.А. Высотин, А.А. Кузубов, С. Энтани,

Х. Нарамото, С. Сакаи, П.Б. Сорокин, П.В. Аврамов, “Электронная структура и спиновые состояния 2D графен / VX2 (X = S, Se) het-

эроструктуры // Физика твердого тела. Chem. Chem. Phys. 18. С. 33047–33052 (2016).

50. Б. Пастор, А. Скарфато, К. Баррето, Э. Джаннини и К. Реннер,

«Размерный кроссовер перехода волны зарядовой плотности в тонком расслоенном VSe2

», 2D Mater.4, 041005 (2017).

51. У. Тонг, С. Гонг, X. Ван и К. Дуан, «Концепции материала ферроваллей

и аномального эффекта Холла долины», Nat. Commun. 7, 13612

(2016).

52. H.-R. Фух, Б. Ян, С.-К. Ву, К. Фелзер и К.-Р. Чанг, «Переход изолятора металл-

и аномальный эффект Холла в слоистых магнитных материалах VS2 и VSe2», New J. Phys. 18, 113038 (2016).

53. К. Сюй, П. Чен, Х. Ли, К. Ву, Ю. Го, Дж. Чжао и Х.Ву, «Ультратонкие нанолисты

диселенида ванадия: металлический двумерный материал

с ферромагнитным поведением волны зарядовой плотности», Angew.

Chem. 52, 10477–10481 (2013).

54. М. Ян, Х. Пан, П. Ван, Ф. Чен, Л. Хэ, Г. Цзян, Дж. Ван, Дж. З. Лю,

Х. Сюй, Х. Ляо, Дж. Ян и Май Л., «Настроенная на поле адсорбция

, динамика нанолистов VSe2 для усиления реакции выделения водорода

», Nano Lett. 17. С. 4109–4115 (2017).

55. W. Zhao, B. Dong, Z. Guo, G. Su, R. Gao, W. Wang и L. Cao,

«Коллоидный синтез однослойных нанолистов VSe2 в качестве новых электро-

катализаторов. для реакции выделения водорода ”, Chem. Commun. 52,

9228–9231 (2016).

56. X. Чиа, А. Амбрози, П. Лазар, З. Софер и М. Пумера,

«Электрокатализ слоистых дихал-

переходных металлов из слоистых металлов группы 5 (MX2, M = V, Nb, и Ta; X = S, Se и Te) », J. Матер.

Chem. А 4, 14241–14253 (2016).

57. Я. Ван, З. Софер, Дж. Лукса и М. Пумера, «Расслоенные литиевые дихалькогениды ван-

дия (VS2, VSe2, VTe2) демонстрируют резко отличающиеся свойства

от их объемных аналогов», Adv . Матер. Интерфейсы 3,

1600433 (2016).

58. Улусой Т.Г. Гобади, Б. Патил, Ф. Карадас, А.К. Окай, Э.

Йилмаз, «Каталитические свойства диселенида ванадия: комплексное исследование его электрокаталитических свойств в щелочной, нейтральной среде,

.

и кислые среды », ACS Omega 2, 8319–8329 (2017).

59. С. Хе, Х. Линь, Л. Цинь, З. Мао, Х. Хе, Й. Ли и К. Ли, «Синтез, способность к ста-

и собственные фотокаталитические свойства диселенида ванадия. ”

J. Mater. Chem. А 5, 2163–2171 (2017).

60. X. Fan, P. Xu, D. Zhou, Y. Sun, YC Li, MAT Nguyen, M. Terrones,

и TE Mallouk, «Быстрое и эффективное приготовление расслоенных 2H

MoS2nanosheets путем обработки ультразвуком- ассистированная интеркаляция лития и

инфракрасный лазер, индуцированный обращением фазы 1T в 2H », Nano Lett.15,

5956–5960 (2015).

61. T. P. Nguyen, W. Sohn, J. H. Oh, H. W. Jang, S. Y. Kim,

«Размерно-зависимые свойства двумерных MoS2 и WS2»,

J. Phys. Chem. С. 120, 10078–10085 (2016).

62. В. Штенгл и Й. Хенич, «Сильно люминесцентный монослойный

MoS2, полученный эффективным ультразвуковым отшелушиванием», Nanoscale 5,

3387–3394 (2013).

63. М. М. Берналь, Л. Альварес, Э. Джованелли, А. Арнаис, Л. Руис-Гонсалес, С.

Касадо, Д. Гранадос, А. М. Писарро, А. Кастелланос-Гомес и Э.

М. Перес, «Люминесцентные нанолисты дихалькогенидов переходных металлов

посредством одностадийного жидкофазного отшелушивания», 2D Mater. 3, 035014

(2016).

64. C. Y. Luan, S. Xie, C. Ma, S. Wang, Y. Kong и M. Xu, «Выяснение

люминесцентных механизмов с регулируемым размером MoSe2quantum

точек», Appl. Phys. Lett. 111, 073105 (2017).

252 Том. 6, No. 4 / Апрель 2018 / Photonics Research Research Research, Статья

Синтез и оптоэлектронные свойства нанокристаллов Cu3VSe4

Abstract

Тройной халькогенид Cu 3 VSe 4 (CVSe) со структурой сульванита был теоретически предсказан как многообещающий кандидат для фотоэлектрических приложений из-за его подходящей ширины запрещенной зоны для поглощения солнечной энергии и относительно большого количества элементов в ее составе. состав.Чтобы реализовать абсорбирующий слой недорогим способом, можно было бы изготовить печатные тонкие пленки из дисперсий наноразмерных предшественников Cu 3 VSe 4 . При этом кубические нанокристаллы Cu 3 VSe 4 были успешно синтезированы методом горячей инжекции. Аналогично описанным нанокристаллам Cu 3 VS 4 , нанокристаллы Cu 3 VSe 4 с кубической структурой демонстрируют три полосы поглощения в УФ-видимом диапазоне, указывающие на существование потенциальной промежуточной запрещенной зоны.Тонкая пленка, полученная путем нанесения наночастиц Cu 3 VSe 4 на стеклянную подложку с покрытием FTO, показала поведение p-типа и фототок ~ 4 мкА / см 2 при измерении в электрохимической ячейке. Эта первая демонстрация фототока, проявляемого тонкой пленкой нанокристаллов CVSe, означает многообещающий потенциал в фотоэлектрических приложениях.

Образец цитирования: Liu M, Lai C-Y, Selopal GS, Radu DR (2020) Синтез и оптоэлектронные свойства нанокристаллов Cu 3 VSe 4 .PLoS ONE 15 (5): e0232184. https://doi.org/10.1371/journal.pone.0232184

Редактор: П. Давиде Коццоли, Университет Саленто, ИТАЛИЯ

Поступило: 15 января 2020 г .; Дата принятия: 8 апреля 2020 г .; Опубликовано: 5 мая 2020 г.

Авторские права: © 2020 Liu et al. Это статья в открытом доступе, распространяемая в соответствии с условиями лицензии Creative Commons Attribution License, которая разрешает неограниченное использование, распространение и воспроизведение на любом носителе при условии указания автора и источника.

Доступность данных: Все соответствующие данные находятся в документе и его файлах с вспомогательной информацией.

Финансирование: ML Финансирование из стартовых средств ПФР Д. Раду; DR и CYL Национальное управление по аэронавтике и исследованию космического пространства, 80NSSC19M0201, https://www.nasa.gov Спонсоры не играли никакой роли в разработке исследования, сборе и анализе данных, решении опубликовать или подготовке рукописи CYL National Science Foundation Grant No. 1924412 https://www.nsf.gov Спонсоры не играли никакой роли в дизайне исследования, сборе и анализе данных, принятии решения о публикации или подготовке рукописи.

Конкурирующие интересы: Авторы заявили, что никаких конкурирующих интересов не существует.

Введение

Класс сульванитов с формулой Cu 3 MCh 4 (M = V, Nb, Ta; Ch = S, Se, Te) состоит из трехкомпонентных полупроводников из халькогенида меди с рассчитанной оптической шириной запрещенной зоны. диапазон от 1,19 до 2,60 эВ, теоретически предсказанная проводимость p-типа и потенциал в фотоэлектрических и оптоэлектронных приложениях.[1–3]

Согласно современным тонкопленочным фотоэлектрическим технологиям, поглощающий слой тонкопленочного солнечного элемента должен иметь оптическую запрещенную зону около 1,5 эВ и низкую эффективную массу дырок. Сульваниты демонстрируют низкую эффективную массу дырок Cu 3 MCh 4 , уменьшающуюся вдоль ряда халькогенов (Ch = S, Se, Te) и увеличивающуюся с группой переходных металлов (V, Nb, Ta). [3]

Недавно группа Kehoe сообщила о рассчитанных значениях ширины запрещенной зоны для сульванита со структурой Cu 3 MCh 4 .В частности, оптические запрещенные зоны Cu 3 VTe 4 , Cu 3 NbTe 4 , Cu 3 VSe 4 , Cu 3 TaTe 4 и Cu VS 3 4 составляют 1,19 эВ, 1,46 эВ, 1,49 эВ, 1,69 эВ и 1,72 эВ, соответственно, и подходят для фотоэлектрических приложений. [3, 4]

В то время как теллуридные сульваниты Cu 3 MTe 4 (M = V, Nb, Ta) представляют собой привлекательную тенденцию как с точки зрения их оптической ширины запрещенной зоны [3], так и с точки зрения других приложений, изготовление материалов кажется обременительным из-за низкой реакционной способности и растворимость порошка Те в алифатических растворителях [5, 6], что затрудняет широкое применение материалов Cu 3 MTe 4 (M = V, Nb, Ta).Таким образом, Cu 3 VSe 4 и Cu 3 VS 4 остаются соединениями сульфанита, которые представляют наибольший интерес для фотоэлектрических приложений. [7]

Неорганические солнечные элементы, обработанные на основе растворов, представляют собой многообещающую недорогую альтернативу солнечным элементам первого поколения и могут привести к технологиям, совместимым с соответствующими тераваттными мощностями. [8]

В восходящем подходе к изготовлению поглотителя используются нанокристаллические прекурсоры, которые могут быть составлены в виде дисперсии, поддающейся нанесению тонких пленок методами печати.Недавно Chen at. al сообщил о первом синтезе сульванита в нанокристаллической форме — нанокристаллы Cu 3 VS 4 (CVS), полученные путем синтеза с горячей инжекцией. [9] Впоследствии Mantella et al. продемонстрировали возможность управления размером нанокристаллов с помощью синтезированных кубических НК Cu 3 VS 4 с различными размерами и узким распределением по размерам. Отчет также продемонстрировал наличие промежуточной запрещенной зоны (IB) в Cu 3 VS 4 посредством теоретических расчетов и экспериментальных измерений.[10] По сравнению с фотоэлектрическими устройствами с одной запрещенной зоной E g , полупроводники с промежуточной полосой могут уменьшить потери неполного поглощения, поскольку фотоны с энергией ниже E g могут также поглощаться переходами из валентной зоны (VB ) в IB или из IB в зону проводимости (CB). [11] Кроме того, из-за многозонных переходов VB-IB и IB-CB было предложено, чтобы полупроводники с промежуточной зоной имели возможность уменьшить эффект термализации по сравнению с однозонными полупроводниками.[12]

Таким образом, предполагается, что полупроводники с промежуточными полосами могут повысить эффективность преобразования солнечного элемента в результате значительного превышения предела Шокли-Кайссера до 63,1%. [10, 13] Мы ожидали, что получение коллоидного Cu 3 VSe 4 может быть достигнуто с помощью аналогичных синтетических методологий.

В данной работе мы приготовили нанокристаллы Cu 3 VSe 4 (НК CVSe) путем горячей инжекции прекурсора Se в прекурсор катионов при 260 ° C.Полученные соединения CVSe демонстрируют кристаллическую структуру объемного CVSe, как показано с помощью дифракции рентгеновских лучей и спектроскопии комбинационного рассеяния света. Нанокристаллы имеют кубическую форму и размер частиц 25 нм согласно анализу ПЭМ и СЭМ. Спектры UV-Vis-NIR NC CVSe показывают три отчетливые полосы поглощения, которые аналогичны NC Cu 3 VS 4 NC. Кроме того, фототок тонкой пленки CVSe на подложках FTO свидетельствует о ее полупроводниковой природе p-типа и большом потенциале в фотоэлектрических приложениях.

Материалы и методы

Материалы

Все химические вещества, использованные в эксперименте, были без дополнительной очистки в исходном состоянии. Ацетилацетонат оксида ванадия (IV) (VO (acac) 2 , ≥ 98%) был заказан в компании Merck KGaA. Порошок селена (Se, 99,99%) и олеиламин (OLA, 70%) были приобретены у Aldrich. Хлорид меди (I) (CuCl, 99,99%), оксид триоктилфосфина (TOPO, 90%), триоктилфосфин (TOP, 97%) и олеиновая кислота (≥ 99%) были приобретены у Sigma-Aldrich.Формамид (FA, 99%) и сульфид натрия (Na 2 S, безводный) были закуплены у Alfa Aesar. Хлороформ марки ACS (CHCl 3 , ≥99,8%), ацетон (CH 3 OCH 3 , ≥99,5%) и метанол (CH 3 OH, 99,8%) были куплены у Fisher Scientific, а этанол (C 2 H 5 OH, 100%) был заказан в Decon Laboratories. Подложки из натронно-известкового стекла FTO были приобретены у MSE Supplies.

Кристаллическую структуру и чистоту полученных НК CVSe определяли методом рентгеновской дифракции на дифрактометре Siemens D5000 (Cu Kα-излучение, λ = 1.5405 Å) и спектры комбинационного рассеяния света, полученные с помощью рамановской микроскопии Renishaw с лазером с длиной волны 633 нм. Сканирующий электронный микроскоп (SEM) JEOL 6330F в сочетании с EDS был выполнен при ускоряющем напряжении 25,0 кВ для исследования элементного распределения полученных НК CVSe. Просвечивающая электронная микроскопия Philips CM200 (ПЭМ) использовалась для определения формы и размера синтезированных НК CVSe. Химическая и электронная структура синтезированных НК Cu 3 VSe 4 была определена методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (XPS) на приборе VG Escalab 220i-XL, оборудованном источником Al Kα.Спектры фотолюминесценции (ФЛ) НК CVSe получены на люминесцентном спектрометре PERKIN ELMER LS-55. Спектр поглощения НК CVSe был получен с использованием спектрофотометра Agilent Cary 5000 UV-vis-NIR. Термическая стабильность нанолистов Cu 3 VSe 4 была определена с использованием прибора TA Instrument SDT-Q600 для одновременной ТГА / ДСК.

Подготовка NC CVSe

В типичном синтезе CuCl (1 ммоль, 99 мг), ацетилацетонат оксида ванадия (IV) (0,7 ммоль, 185.5 мг), оксид триоктилфосфина (TOPO, 3 ммоль, 1,31 г) и 15 мл олеиламина загружали в двухгорлую круглодонную колбу на 100 мл с последующей дегазацией при 120 ° C в течение 30 минут. Между тем, источник селена получали растворением 158 мг порошка селена (2 ммоль) в смеси 5 мл олеиламина и 3 мл олеиновой кислоты и дальнейшего вакуумирования при комнатной температуре в течение 30 минут. После дегазации оба сосуда были заполнены аргоном. Раствор Cu-V нагревали до 260 ° C, а затем немедленно вводили предшественник Se при 260 ° C.После этого реакцию поддерживали при 260 ° C в течение 1 часа. Сначала продукт переносили в центрифужную пробирку с 4 мл TOP и обрабатывали ультразвуком в течение 5 минут для удаления остаточного Se. Затем осадки дважды промывали смесью хлороформа и этанола в объемном соотношении 1: 3. Осадки собирали центрифугированием и сушили в течение ночи в вакуумной печи.

Обмен лигандов

Считается, что органические лиганды, прикрепленные к поверхности синтезированных коллоидных нанокристаллов, блокируют перенос заряда при осаждении в пленках и твердых нанокристаллах, учитывая, что органические лиганды могут создавать изолирующие слои между нанокристаллами.[14–16]

В этой работе был проведен процесс обмена лигандами для замены органических лигандов, координированных с NC CVSe во время синтеза (олеиламин, олеиновая кислота, TOPO), на неорганические короткие лиганды, S 2-, путем обработки Na 2 S. [ 15] В типичном эксперименте синтезированный CVSe суспендировали в толуоле (8 мг / мл) и 10 мл суспензии CVSe добавляли к 10 мл раствора формамида Na 2 S (0,2 М). Затем смесь энергично встряхивали в течение 1 минуты и затем выдерживали до разделения прозрачных фаз.Черные НК CVSe были перенесены из фазы толуола в фазу формамида, что указывает на успешный обмен лиганда. Прозрачную толуольную фазу удаляли и добавляли смесь этанола и наночистой воды (об: об, 4: 1) для осаждения НК Cu 3 VSe 4 . Осадки дважды промывали этанолом и наночистой водой (об: об, 4: 1) с последующей очисткой смесью толуола и этанола (об: об, 1: 3). Полученный продукт собирали центрифугированием и сушили в вакуумной печи в течение ночи для дальнейшего использования.

Изготовление тонкой пленки CVSe

дисперсий CVSe (чернил) получали добавлением 25 мг НК CVSe с обменом лигандом в 1 мл этанола и диспергировали с помощью ультразвуковой обработки в течение 10 минут. Чернила CVSe объемом 20 мкл были нанесены на стекло, покрытое FTO, путем нанесения покрытия лезвием с последующей термообработкой при 100 ° C в течение 1 минуты на воздухе на горячей плите. Процесс осаждения повторяли дважды для изготовления тонкой пленки стекло / FTO / CVSe. Перед осаждением подложки FTO очищали в последовательности дистиллированной воды, метанола, ацетона и этанола в ультразвуковой ванне в течение 10 минут соответственно.

Фотоэлектрохимические измерения

Фотоэлектрохимический отклик тонкой пленки CVSe был протестирован потенциостатом PINE Reseach, подключенным к трехэлектродной фотоэлектрохимической ячейке, состоящей из электрода сравнения Ag / AgCl, платинового противоэлектрода и рабочего электрода подложки FTO, покрытой CVSe. Все эти три электрода находились в водном растворе KCl (0,6 М) с pH 4,5. Вольт-амперная кривая тонкой пленки CVSe была отклонена от 0.От 6 В до 0 В с шагом 10 секунд свет включается и выключается со скоростью развертки 2 мВ с -1 в окружающей атмосфере. Фототок тонкой пленки CVSe создавался путем периодического облучения светодиодной лампы яркостью 2000 люмен на пленке в течение 10 секунд и выключения света на 10 секунд.

Результаты и обсуждение

НК CVSe охарактеризованы по кристалличности, чистоте, стабильности и составу.

На рис. 1A представлена ​​дифракция рентгеновских лучей синтезированного CVSe, где каждый пик может быть сильно привязан к кубическому CVSe с пространственной группой P (PDF № 40125).Рамановский спектр синтезированного CVSe в Fig. 1B демонстрирует пять пиков около 133,4 см -1 , 158,5 см -1 , 185,1 см -1 , 218,3 см -1 и 345,8 см -1 , соответственно. Кристаллическая структура синтезированного CVSe показана на Фиг.1C .

Термическая стабильность синтезированных НК CVSe была исследована с помощью термогравиметрического анализа (ТГА), при котором 18,5 мг НК CVSe были отожжены в интервале 25–800 ° C при линейной температуре 20 ° C / мин в атмосфере аргона.Кривая ТГА на рис. 1D , , проведенная от 25 ° C до 800 ° C, показывает два основных события потери массы: первая потеря массы, которая начинается при 250 ° C, может быть связана с испарением образовавшегося остаточного органического лиганда. от синтеза в растворе, в то время как вторая потеря массы около 650 ° C коррелирует с разложением НК CVSe. Чтобы лучше понять устойчивость CVSe к термическому напряжению, мы отожгли NC CVSe при 650 ° C в атмосфере аргона в течение 1 и 5 минут соответственно.Как показано на рис. S1, рентгенограмма НК CVSe, отожженных в течение 1 минуты, показывает чистую фазу CVSe, в то время как НК CVSe, отожженные в течение 5 минут, демонстрируют смешанную фазу Cu 1,8 Se и CVSe, что означает, что НК CVSe начинают разлагаться при 650 ° C.

ПЭМ-изображение низкого разрешения на рис. 2A показывает, что синтезированные НК CVSe имеют кубическую форму. Рис. 2B демонстрирует изображение ПЭМ с высоким разрешением (HRTEM), показывающее два измеренных межплоскостных расстояния (d-интервал), равных 0.32 нм и 0,54 нм, соответствующие плоскости (111) и (100) кубического CVSe, соответственно, иллюстрирующие хорошо кристаллизованные НК CVSe. Элементный состав синтезированных NC CVSe был определен с помощью SEM-EDS в Fig. 2C – 2F , показав равномерное распределение элементов Cu, V и Se в выбранной области. В соответствии с анализом XRD и SEM-EDS чистота полученного CVSe была также подтверждена спектроскопией комбинационного рассеяния.

Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (XPS) была проведена для определения степени окисления элементов Cu, V и Se, присутствующих в синтезированных NC CVSe.Спектры РФЭС высокого разрешения орбиталей Cu 2p, V 2p и Se 3d показаны на рис. , рис. 3 . Соответствующие спектры на уровне ядра Cu 2p 3/2 и Cu 2p 1/2 NC CVSe в Fig. 3A демонстрируют два пика при 932,4 эВ и 952,4 эВ, соответственно, что позволяет предположить, что Cu представлена ​​в Cu (I ) штат. [17–19] Согласно литературным данным, энергии связи V 2p находятся при 516,7 эВ (V 2p 3/2 ) и 523,5 эВ (V 2p 1/2 ) с разделением 6,8 эВ в Рис. 3B близко к V5 + , [20, 21], тогда как пики на 513.5 эВ и 521,3 эВ с разделением 7,8 эВ соответствовали V 2p 3/2 и V 2p 1/2 в V 2 + . [22–24] Однако данные XRD показывают только фазу CVSe. При исследовании материала Cu 3 VS 4 Mantella et al. проиллюстрировано, что наночастицы Cu x S и V-содержащие наночастицы (V-NP) были первоначально сформированы во время синтеза NC Cu 3 VS 4 . Стоит отметить, что XRD V-NP показал аморфный статус.[10] Таким образом, мы предположили, что некоторые аморфные V-NP могут образовываться в синтезированных NC CVSe. Соответствующий спектр Se 3d в Fig. 3C представляет пик при 53,8 эВ, который может быть отнесен к Se 3d 3/2 из Se 2-. [25–27]

В целом, результаты XPS показывают, что степени окисления Cu, V и Se в НК Cu 3 VSe 4 такие же, как и в массе: +1, +5 и -2 соответственно.

На рис. 4A показан спектр UV-Vis-NIR синтезированных NC CVSe в этаноле, где были идентифицированы три широких пика при примерно 391 нм, 562 нм и 678 нм.При преобразовании длины волны в фотоэнергетику эти три полосы поглощения соответствуют 3,17 эВ, 2,20 эВ и 1,83 эВ, которые соответствуют ширине запрещенной зоны VB-CB, VB-IB и VB-IB соответственно. [28, 29]

Тонкая пленка. Сообщается, что уменьшение количества остаточных углеродных лигандов на поверхности наночастиц полезно для изготовления тонких пленок. Поэтому перед нанесением чернил NC CVSe на подложку FTO был проведен процесс обмена лигандов для удаления органических лигандов, и их удаление подтверждено инфракрасной спектроскопией.На рис. 4В показаны ИК-спектры FTIR для NC CVSe в исходном состоянии (синяя линия) и NC с обменом лиганда (красная линия). НК CVSe были синтезированы в присутствии олеиламина, олеиновой кислоты и TOPO в качестве растворителя или поверхностно-активного вещества. Таким образом, характеристическая полоса около 1465 см -1 соответствует колебательному растяжению связи Р-С; характерный дублет около 2852 и 2925 см -1 может быть отнесен к моде растяжения C-H, предполагая, что синтезированные NC CVSe закрыты TOPO.Эти синтетические НК CVSe с блокировкой органического лиганда подверглись обмену лиганда с раствором S-формамида Na 2 , а затем НК CVSe были перенесены из хлороформа в фазу формамида с образованием неорганического лиганда S с 2– концевыми НК CVSe, как показано на Рис. 4B красная линия, где, по-видимому, исчезли растяжения КД и ЦП. Диаграмма XRD и спектр комбинационного рассеяния продукта после обмена лиганда показывают чистую фазу CVSe, как показано на S2 рис. и S3 рис. .

На рис. 5 показаны спектры фотолюминесценции (ФЛ) синтезированных НК CVSe с использованием различных длин волн возбуждения. Когда НК CVSe возбуждаются на длине волны 440 нм, максимум излучения находится на 665 нм. Однако при увеличении длины волны возбуждения до 450 нм максимум излучения соответственно смещается до 685 нм. Поскольку пик 685 нм имеет самую высокую интенсивность, мы предпочитаем 450 нм в качестве длины волны возбуждения НК CVSe. Другими словами, оптическая запрещенная зона НК CVSe составляет около 1.81 эВ, что хорошо согласуется с предсказанием из приведенного выше спектра UV-Vis-NIR. В целом пик ФЛ НК CVSe устойчиво смещается в красную область с красным смещением длины волны возбуждения. Возможное объяснение этого явления ФЛ, зависящего от возбуждения, связано с распределением по размерам НК CVSe и распределением различных эмиссионных сайтов на НК. [30–33]

Для изучения фотоэлектрохимического отклика НК CVSe мы создали трехэлектродную фотоэлектрохимическую ячейку, как показано на рис. , рис. 6А, .Кривая вольт-амперной характеристики (СП) изготовленной тонкой пленки CVSe была исследована с использованием исследовательского потенциостата PINE путем прерывания светодиодной лампы на 10 секунд и 10 секунд выключения, как показано на Рис. 6B , где изменение тока постепенно уменьшается. со смещением напряжения в положительную сторону, что подразумевает полупроводниковые характеристики p-типа НК CVSe. Когда падающий свет освещает поверхность пленки CVSe, он генерирует электроны и дырки. Фотогенерированные электроны переносятся к границе раздела электрод / электролит и затем восстанавливают H + в электролите до H 2 , тогда как фотогенерированные дырки переносятся на противоэлектрод через внешние цепи и способствуют реакции окисления ().[34] В эксперименте с хроноамперометрией, как показано на диаграмме-вставке рис. 6B , фототоковая характеристика тонкой пленки CVSe в водном растворе KCl была оценена при -550 мВ в течение нескольких 10-секундных циклов включения-выключения света, когда тонкая пленка CVSe была Пленка демонстрирует фототок ~ 4 мкА / см 2 и высокую стабильность фототока. Потенциальной причиной низкого фототока пленки CVSe может быть недостаточная сплошность используемой тонкой пленки CVSe. Оба фактора могут влиять на фотоэлектрохимическое поведение НК CVSe; дефекты пленки влияют на перенос носителей заряда.[35] Примечательно, что пленка CVSe показала высокую стабильность в водном растворе KCl, поскольку она показывает правильный спектр комбинационного рассеяния и активную реакцию фототока после выдержки в водном растворе в течение одной недели. ( S4 Рис. и S5 Рис.) .

Рис. 6.

(A) Схема трехэлектродной фотоэлектрохимической ячейки на основе CVSe. (B) вольт-амперная кривая тонкой пленки CVSe в водном растворе KCl; график на вставке представляет собой отклик фототока тонкой пленки CVSe в водном растворе KCl при -550 мВ.

https://doi.org/10.1371/journal.pone.0232184.g006

Чтобы продемонстрировать стабильное фотоэлектрохимическое поведение НК CVSe, мы измерили отклик фототока трех различных тонких пленок CVSe. Все три разные пленки CVSe демонстрируют активное фотоэлектрохимическое поведение, как показано на S6 Рис. . Таким образом, хотя генерируемый фототок невелик, им нельзя пренебречь и его можно воспроизводить.

Выводы

Мы сообщили о простом процессе синтеза в фазе раствора для получения полупроводниковых нанокристаллов Cu 3 VSe 4 с кубической формой и средним размером частиц около 25 нм.Спектры UV-Vis-NIR показывают три основных полосы поглощения в УФ-видимом диапазоне, что указывает на наличие промежуточной полосы. Таким образом, по сравнению с другими фотоэлектрическими материалами, обработанными на основе растворов, НК CVSe имеют промежуточную полосу, которая, согласно прогнозам, может поглощать энергии ниже запрещенной энергии посредством двух оптических переходов из валентной зоны в промежуточную и из промежуточной в зону проводимости. , что приводит к повышению эффективности преобразования. Кроме того, НК CVSe содержат элементы с относительно большим содержанием земли, включая медь, ванадий и селен.Интересно, что пики ФЛ смещаются в красную сторону при увеличении длины волны возбуждения, что может быть связано с небольшим распределением по размерам. Полученные нанокристаллы Cu 3 VSe 4 подвергали процессу лигандного обмена с Na 2 S, а затем наносили на подложки FTO для изготовления тонких пленок CVSe-FTO. Тонкие пленки CVSe показали фототоки p-типа, и фототоки ~ 4 мкА / см. 2 были зарегистрированы при погружении пленки в водный электролит KCl.

Фототок является стабильным и воспроизводимым, что позволяет предположить, что за счет оптимизации как поверхностных лигандов частиц, так и методов изготовления пленок и использования адекватной архитектуры устройства CVSe может стать важным игроком в солнечных фотоэлектрических приложениях.

Благодарности

Авторы очень благодарны профессору Чжицюну Линю и его группе в Технологическом институте Джорджии за доступ к приборам PL.

Также авторы хотели бы поблагодарить Dr.Федерико Розеи из Национального института научных исследований (INRS), Канада, за доступ к его исследовательским центрам.

Ссылки

  1. 1. Али А., Джахан Н., Ислам АКМ. Сульванитные соединения Cu3TMS4 (TM = V, Nb и Ta): упругие, электронные, оптические и термические свойства с использованием метода первых принципов. Журнал научных исследований. 2014; 6: 407–19.
  2. 2. Хун А.Дж., Юань Ц.Л., Гу Г, Лю Дж. М.. Новые термоэлектрические материалы p-типа Cu3MCh5 (M = V, Nb, Ta; Ch = Se, Te): сильное зонное вырождение.Журнал химии материалов А. 2017; 5 (20): 9785–92.
  3. 3. Кехо А.Б., Скэнлон Д.О., Уотсон Г.В. Электронная структура полупроводников со структурой сульванита Cu3MCh5 (M = V, Nb, Ta; Ch = S, Se, Te): перспективы для оптоэлектронных приложений. Журнал химии материалов C. 2015; 3 (47): 12236–44.
  4. 4. Кехо А.Б., Скэнлон Д.О., Уотсон Г.В. Моделирование потенциальных фотоэлектрических поглотителей Cu3MCh5 (M = V, Nb, Ta; Ch = S, Se, Te) с использованием теории функционала плотности. Журнал физики конденсированного состояния.2016; 28 (17). pmid: 27033972
  5. 5. Нхоленг Н., Мохела Б., Гкоба С., Аиро М., Говиндраджу С., Молото М.Дж. и др. Коллоидный синтез чистых кристаллитов CuInTe2 на основе теории HSAB. Новый химический журнал. 2016; 40 (12): 10259–66.
  6. 6. ван Эмбден Дж., Чесман А.С.Р., Ясениак Дж. Дж. Тепловой синтез коллоидных нанокристаллов. Химия материалов. 2015; 27 (7): 2246–85.
  7. 7. Икеда С., Аоно Н., Ивасе А., Кобаяши Х., Кудо А. Cu3MS4 (M = V, Nb, Ta) и его твердые растворы со структурой сульванита для фотокаталитической и фотоэлектрохимической эволюции h3 при облучении видимым светом.ChemSusChem. 2019; 12 (9): 1977–83. pmid: 30666792
  8. 8. Тодоров Т., Гунаван О., Чей С.Дж., де Монсаберт Т.Г., Прабхакар А., Митци ДБ. Прогресс в создании товарных солнечных батарей из халькогенидов. Тонкие твердые пленки. 2011. 519 (21): 7378–81. https://doi.org/10.1016/j.tsf.2010.12.225.
  9. 9. Чен С-С, Стоун К.Х., Лай С-И, Добсон К.Д., Раду Д. Нанокристаллы сульванита (Cu3VS4) для печатных тонкопленочных фотоэлектрических элементов. Материалы Письма. 2018; 211: 179–82. https://doi.org/10.1016 / j.matlet.2017.09.063.
  10. 10. Мантелла В., Нинова С., Сарис С., Лойудис А., Ашауэр Ю., Буонсанти Р. Синтез и размерно-зависимые оптические свойства нанокристаллов Cu3VS4 с промежуточной запрещенной зоной. Химия материалов. 2019; 31 (2): 532–40.
  11. 11. Луке А., Марти А., Стэнли С. Понимание солнечных элементов промежуточного диапазона. Природа Фотоника. 2012; 6: 146.
  12. 12. Ханна MC, Нозик AJ. Эффективность солнечного преобразования фотоэлектрических и фотоэлектролизных ячеек с поглотителями умножения носителей.Журнал прикладной физики. 2006; 100 (7): 074510.
  13. 13. Vörös M, Galli G, Zimanyi GT. Коллоидные наночастицы для солнечных элементов промежуточного диапазона. САУ Нано. 2015; 9 (7): 6882–90. pmid: 26042468
  14. 14. Хуанг Т.Дж., Инь X, Тан Ч., Ци Г., Гонг Х. Недорогая стратегия без обмена лигандов для синтеза крупнозернистых тонких пленок Cu2ZnSnS4 без мелкозернистого подслоя из нанокристаллов. Журнал химии материалов А. 2015; 3 (34): 17788–96.
  15. 15. Наг А., Коваленко М.В., Ли Дж.С., Лю В., Спокойный Б., Талапин Д.В.Безметалловые неорганические лиганды для коллоидных нанокристаллов: S2–, HS–, Se2–, HSe–, Te2–, HTe–, TeS32–, OH– и Nh3– в качестве поверхностных лигандов. Журнал Американского химического общества. 2011. 133 (27): 10612–20. pmid: 21682249
  16. 16. Талапин Д.В., Ли Дж.С., Коваленко М.В., Шевченко Е.В. Перспективы коллоидных нанокристаллов для электроники и оптоэлектроники. Химические обзоры. 2010. 110 (1): 389–458. pmid: 19958036
  17. 17. Ким М-в, Джоши Б., Юн Х, Ом Т.Й., Ким К., Аль-Деяб С.С. и др.Фотоаноды с электрораспылением гексаоксодиванадата меди (CuV2O6) и пированадата (Cu2V2O7) для эффективного разделения солнечной воды. Журнал сплавов и соединений. 2017; 708: 444–50. https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2017.02.302.
  18. 18. Мохаммаднежад М., Лю М., Селопал Г.С., Наварро-Пардо Ф., Ван З.М., Стэнсфилд Б. и др. Синтез высокоэффективного нанолистового электрокатализатора Cu2ZnSnSxSe4 − x (CZTSSe) для сенсибилизированных красителями солнечных элементов. Electrochimica Acta. 2020; 340: 135954. https://doi.org/10.1016 / j.electacta.2020.135954.
  19. 19. Чжан X, Тан И, Ван И, Шен Л., Гупта А., Бао Н. Простой синтез нанопластин Cu4SnS4 в одном сосуде и механизм фазового превращения, вызванного температурой. CrystEngComm. 2020; 22 (7): 1220–9.
  20. 20. Линдстрём Р., Морис В., Занна С., Кляйн Л., Граулт Х., Перриго Л. и др. Тонкие пленки оксида ванадия, выращенные на металлическом ванадии: условия окисления для получения пленок V2O5 для приложений интеркаляции лития и характеристики с помощью XPS, AFM, RBS / NRA.Поверхностный и интерфейсный анализ. 2006. 38 (1): 6–18.
  21. 21. Ван В., Цзян Дж., Дин Т., Ван С., Цзо Дж., Ян К. Альтернативный синтез нанокристаллов CuFeSe2 с магнитными и фотоэлектрическими свойствами. Прикладные материалы и интерфейсы ACS. 2015; 7 (4): 2235–41. pmid: 25562289
  22. 22. Даш С., Кадзита Т., Йошино Т., Сайни Н.Л., Кацуфудзи Т., Мизокава Т. V 2p-спектроскопия на уровне ядра V2 + / V3 + смешанной валентности AV10O15 (A = Ba, Sr) и Ba0.9Sr0.1V13O18. Журнал электронной спектроскопии и родственных явлений.2018; 223: 11–20. https://doi.org/10.1016/j.elspec.2017.12.002.
  23. 23. Лауренти М., Кастеллино М., Перроне Д., Асваров А., Канавезе Дж., Чиолерио А. Бессвинцовые пьезоэлектрики: преобразование ионов V (3+) в V (5+), улучшающее характеристики оксида цинка, легированного V. Научный доклад 2017; 7: 41957–. pmid: 28165040.
  24. 24. Ван Ф, Ван З, Шифа Т.А., Вэнь И, Ван Ф, Чжан Х и др. Двумерные неслоистые материалы: синтез, свойства и применение. Современные функциональные материалы.2017; 27 (19): 1603254.
  25. 25. Bernede JC, Hamdadou N, Khelil A. Исследование тонких пленок CuFeSe2 методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Журнал электронной спектроскопии и родственных явлений. 2004. 141 (1): 61–6. https://doi.org/10.1016/j.elspec.2004.07.003.
  26. 26. Чен Г., Юань Ц., Лю Дж., Дэн Й., Цзян Г., Лю В. и др. Недорогое получение Cu2ZnSnS4 и Cu2ZnSn (SxSe1 − x) 4 из бинарных сульфидных наночастиц для применения в солнечных элементах. Журнал источников энергии. 2014; 262: 201–6.https://doi.org/10.1016/j.jpowsour.2014.03.075.
  27. 27. Чжоу X, Гао П, Сан С., Бао Д., Ван И, Ли Х и др. Аморфные, кристаллические и кристаллические / аморфные нанопроволоки селена и их различные механизмы (де) лития. Химия материалов. 2015. 27 (19): 6730–6.
  28. 28. Бастола Э., Бхандари К.П., Субеди И., Подраза, штат Нью-Джерси, Эллингсон Р.Дж. Структурные, оптические и дырочные транспортные свойства нанокристаллов халькопирита (CuFeS2), распространенного на Земле. MRS Communications.2018; 8 (3): 970–8. Epub 2018/07/04.
  29. 29. Огучи Т., Сато К., Тераниши Т. Спектр оптического отражения монокристалла CuFeS2. Журнал Физического общества Японии. 1980. 48 (1): 123–8.
  30. 30. Пан Д., Чжан Дж., Ли З., Ву Ц., Ян X, Ву М. Наблюдение зависящей от pH, растворителя, спина и возбуждения голубой фотолюминесценции углеродных наночастиц. Chem Commun (Camb). 2010. 46 (21): 3681–3. pmid: 20396809.
  31. 31. Sun YP, Zhou B, Lin Y, Wang W, Fernando KAS, Pathak P и др.Квантовые углеродные точки для яркой и цветной фотолюминесценции. Журнал Американского химического общества. 2006. 128 (24): 7756–7. pmid: 16771487
  32. 32. Ван Х, Сан Си, Чен Х, Чжан И, Колвин В.Л., Райс К. и др. Независимое от длины волны возбуждения видимое цветное излучение углеродных точек. Наноразмер. 2017; 9 (5): 1909–15. pmid: 28094404
  33. 33. Чжоу Дж., Шэн З., Хань Х., Зоу М., Ли С. Легкий синтез флуоресцентных углеродных точек с использованием кожуры арбуза в качестве источника углерода.Материалы Письма. 2012; 66 (1): 222–4. https://doi.org/10.1016/j.matlet.2011.08.081.
  34. 34. Вэй X, Qiu Y, Duan W, Liu Z. Генерация катодных и анодных фототоков из мелема и его производных. RSC Advances. 2015; 5 (34): 26675–9.
  35. 35. Valaski R, Ayoub S, Micaroni L, Hümmelgen IA. Влияние толщины пленки на перенос заряда электроосажденных тонких пленок полипиррола. Тонкие твердые пленки. 2002. 415 (1): 206–10. https://doi.org/10.1016/S0040-6090(02)00553-9.

Двухступенчатый рост пленок VSe2 и их фотоэлектрические свойства

3.1. Приготовление тонкой пленки VSe 2

На рис. 3 показана рентгенограмма образца с V-пленкой толщиной 50 нм, полученной на стеклянной подложке при температуре селенизации 550 ° C. Мы легко можем найти дифракционный пик Se, который указывает на то, что пары Se легко конденсируются. Таким образом, поверхность образца богата селеном. Однако пика VSe 2 не наблюдается.Наблюдается дифракционный пик, принадлежащий V 3 Se 4 . Очевидно, что кристалличность V 3 Se 4 не очень хорошая. К сожалению, мы также получаем VO 2 . Появление оксида может быть связано с тем, что кислород воздуха прилип к поверхности V-пленки до того, как она попала в камеру селенизации.

Этот эксперимент показывает, что температура селенизации высока. Затем температуру селенизации снизили до 400 ° C.Чтобы предотвратить появление Se на поверхности пленки, камера дегазируется, как только Se остывает, как показано на рис. 2 (b). На рис. 4 (а) показана рентгенограмма образца с пленкой V толщиной 50 нм, селенизированной при 400 ° C. Все дифракционные пики могут быть привязаны к гексагональной фазе VSe 2 (карта JCPDS № 01-089-1641) без каких-либо других фаз. Этот результат согласуется с другими отчетами. [10,19,21] Чтобы проверить стабильность процесса селенизации, мы селенизировали пленку V толщиной 100 нм, нанесенную на стекло с помощью того же процесса селенизации.На рисунке 4 (b) показана рентгенограмма. Подтверждено, что кристаллическая структура сформированного VSe 2 представляет собой гексагональную фазу без каких-либо примесей. Синтезированная пленка VSe 2 (00 l ) очень предпочитает эту ориентацию. В частности, интенсивность каждого дифракционного пика намного выше, чем у пленки VSe 2 , полученной селенизацией пленки V с длиной волны 50 нм. То есть кристалличность VSe 2 хорошо улучшена, и предпочтительный рост VSe 2 происходит вдоль оси c .На рис. 4 (c) и 4 (d) показаны соответствующие топографические изображения. Очевидно, что образец, полученный селенизацией V-пленки толщиной 50 нм, покрыт небольшими нанолистами (рис. 4 (c)). Поверхность образца, полученного селенизацией V-пленки толщиной 100 нм, покрыта гексагональными нанолистами (рис. 4 (г)). Эти нанолисты на поверхности образца становятся очень плотными и не имеют отверстий или пустот.

Согласно этим результатам, VSe 2 может быть получен путем селенизации пленки V толщиной 50 нм при 400 ° C.Затем пленки V толщиной 50 нм были селенизированы при различных температурах для изучения поведения роста пленки VSe 2 . На рис. 5 показаны рентгенограммы и топографические СЭМ-изображения соответствующих пленок. При 350 ° C дифрактограмма показывает основной дифракционный пик (001) VSe 2 , который растет вместе с направлением оси c . При такой температуре роста пленка состоит из нескольких светлых белых частиц и многослойных листов. При повышении температуры до 400 ° C пленка все еще имеет (001) предпочтительную ориентацию.Однако интенсивность пика Брэгга (001) значительно увеличивается (как показано на фиг. 5 (b)), что означает, что качество кристалла VSe 2 улучшается. На вставленном СЭМ-изображении показано, что пленка состоит из больших и хорошо кристаллизованных нанолистов, что согласуется с соответствующим результатом XRD. При дальнейшем повышении температуры интенсивность пика (001) уменьшается, и обнаруживаются пики V 2 O 3 , как показано на фиг. 5 (в) и 5 ​​(г). В частности, пики VSe 2 не могут быть обнаружены, и пленка полностью состоит из V 2 O 3 при повышении температуры до 500 ° C.При такой температуре пленки будут состоять не из нанолистов, а из мелких зерен, как показано на вставках к рис. 5 (в) и 5 ​​(г). Окисление V должно быть причиной более легкой реакции между V и O 2 при такой высокой температуре, чем реакция между V и парами Se, где O 2 может участвовать во время переноса сформированной пленки V из камеры для выращивания в камера селенизации в атмосфере. Эти результаты показывают, что подходящая температура для приготовления слоя VSe 2 на стекле должна составлять около 400 ° C.

Рис. 5.

Рис. 5. Рентгенограммы пленок V, селенизированных при 350 ° C (а), 400 ° C (б), 450 ° C (в) ° C и (г) 500 ° C, на вставке показаны соответствующие снимки пленок, полученные на сканирующем электронном микроскопе.

Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (XPS) проводится для дальнейшего исследования состава образца. Энергии связи 517,0 эВ и 524,0 эВ соответствуют V 2p 1/2 и 2p 3/2 , которые указывают на состояние V 4+ , как показано на рис.6 (а). Результат соответствует приведенным в ссылках. [5,17,27] На рис. 6 (b) показаны XPS-спектры пика Se 3d, Se 3d 5/2 (при 54,8 эВ) и Se 3d 3/2 (при 55,6 эВ). пики могут быть отнесены к Se 2-, [10,17,27,28] Кроме того, энергии связи (59,1 и 58,3 эВ) Se 3d соответствуют таковым в SeO 2 . [28] Появление SeO 2 можно рассматривать как наличие некоторых оборванных связей на поверхности образца, а Se объединяется с кислородом воздуха с образованием фазы SeO 2 .Глубина образца, обнаруженная с помощью теста XPS, составляет всего несколько нанометров, поэтому фаза SeO 2 может быть четко обнаружена. Можно сделать вывод, что основным компонентом образца, селенизированного при 400 ° C, действительно является VSe 2 .

Оптические свойства выращенных тонких пленок, селенизированных при различных температурах, показаны на рис. 7. Образец тонкой пленки V, селенизированной при 400 ° C, имеет самый высокий коэффициент отражения и самый низкий коэффициент пропускания. Это указывает на то, что VSe 2 , сформированный двухэтапным процессом, может использоваться в оптоэлектронных устройствах, особенно в фотоэлектрических устройствах.VSe 2 имеет более высокий коэффициент отражения и низкий коэффициент пропускания. Поскольку тонкая пленка VSe 2 нанесена между задним контактом и абсорбирующим слоем, она может способствовать повторному поглощению солнечного света и уменьшать потери света, что будет способствовать сбору фотогенерируемых носителей.

3.2. Электрические свойства VSe 2

Если VSe 2 используется в солнечном элементе, таком как солнечный элемент со структурой кестерита, то он будет выращен на пленке с обратным контактом из Мо.Учитывая, что чрезмерная толщина слоя VSe 2 ухудшает характеристики устройства, мы выбрали для исследования пленку V толщиной 50 нм вместо 100 нм. Таким образом, была приготовлена ​​пленка V толщиной 50 нм на подложке из Мо. Пленки как Mo, так и V выращиваются преимущественно в направлении (110) (рис. 8 (a)), разница в морфологии поверхности не очень очевидна, как показано на рис. 8 (б) и 8 (в). Обе поверхности покрыты плотными червеобразными зернами, но размер зерна пленки, покрытой V, более однороден, чем у поверхности Mo, и количество пор между зернами уменьшается.Из поперечного сечения на рис. 8 (d) мы можем видеть, что связь между пленкой V и подложкой Mo очень хорошая, и на границе раздела Mo / V не образуются отверстия и зазоры.

Рис. 8.

Рис. 8. (a) Рентгенограммы стандартных дифракционных пиков Mo и V, (b) СЭМ-изображение пленки Mo, (c) Пленка ванадия, приготовленная на подложке из Мо, (d) поперечное сечение пленки ванадия, приготовленной на подложке из Мо.

Пленка V, приготовленная на подложке из Мо, затем была селенизирована при температуре 400 ° C.На рисунке 99 (а) показана рентгенограмма образца. Из-за сильного дифракционного пика Mo другие дифракционные пики слишком слабые. Чтобы проанализировать другую фазу, мы отсекли дифракционный пик Мо, расположенный примерно при –42 °. Очевидно, что кристаллические фазы (001) и (002) VSe 2 также могут быть получены на подложке из Мо. В то же время он также генерирует MoSe 2 . Это происходит потому, что Se диффундирует настолько быстро, что слой VSe 2 не блокирует контакт Se с Mo с образованием MoSe 2 .Подробные морфологии и микроструктуры синтезированных нанолистов VSe 2 были исследованы с помощью SEM, как показано на рис. 9 (b). Поверхность образца покрыта рядом гексагональных нанолистов. Это также согласуется с морфологией VSe 2 , приготовленного на стеклянной подложке. Это показывает, что стабильность нашего двухэтапного приготовления процесса VSe 2 очень хорошая.

Чтобы понять свойства контакта между Mo (металлической) подложкой и VSe 2 (полупроводниковым материалом), мы подготовили алюминиевый электрод определенной толщины на поверхности Mo и VSe 2 , а затем выполнили темное состояние I. V тест.На рис. 10 черная кривая представляет контакт между Al / Mo, а красная — контакт между Al / VSe 2 / Mo. Можно видеть, что кривая I V подложки Al / Mo является линейной, что является типичной характеристической кривой I V омического контакта. Другими словами, характеристика контакта между Al и Mo является омической. Кривая I V образца с пленкой VSe 2 также является линейной прямой линией, поэтому можно сделать вывод об омическом контакте между Al и VSe 2 и Mo.Этот результат показывает, что VSe 2 может быть хорошо применен к полупроводниковым приборам из-за его хорошего омического контакта.

Кроме того, мы также выполнили тест Холла на вышеуказанных образцах. Результаты испытаний приведены в таблице 1. Образец с VSe 2 (0,2102 Ом / кв.) Имеет меньшее квадратное сопротивление, чем молибденовая подложка без VSe 2 (0,2135 Ом / кв.). Однако по сравнению с подложкой из Мо подвижность электронов снижена. Поскольку концентрация носителей в образце VSe 2 может достигать порядка 10 18 .VSe 2 может хорошо применяться в полупроводниковых приборах.

Таблица 1.

Таблица 1.

Таблица 1.

Холловские измерения подложки Mo и пленок VSe 2 , приготовленных на подложке Mo.

.
Образец Сопротивление листа / (Ом / кв) Коэффициент / Мобильность / Концентрация носителя / см −2
Пн 0.2135 0,000699 32,8 8,93 × 10 17
Mo + VSe 2 0,2102 0,000269 12,8 2,32 × 10 18
Таблица 1.

Холловские измерения подложки Mo и пленок VSe 2 , приготовленных на подложке Mo.

.

Интраоперационный мониторинг церебральной оксиметрии и глубины анестезии во время процедур нейроанестезии

Мы представляем основные результаты 5-го Национального аудиторского проекта (NAP5) по случайному осознанию во время общей анестезии (AAGA).Заболеваемость оценивалась с использованием отчетов о случайной осведомленности в качестве числителя и параллельного национального обследования анестезиологической активности для получения данных знаменателя. Частота определенных / вероятных и возможных случайных случаев осведомленности составила ~ 1: 19 600 анестетиков (95% доверительный интервал 1: 16 700–23 450). Однако между подтипами техник и специальностями наблюдались значительные различия. Заболеваемость нервно-мышечной блокадой (НМБ) составляла ~ 1: 8200 (1: 7030-9700), а без нее ~ 1: 135900 (1: 78,600-299,000).Случаи AAGA, о которых сообщалось в NAP5, в подавляющем большинстве были случаями непреднамеренного осознания во время NMB. Частота случайного осознания во время кесарева сечения составила ~ 1: 670 (1: 380-1300). Две трети (82, 66%) случаев случайных переживаний осознавания возникли в динамических фазах анестезии, а именно на индукции и выходе из анестезии. Во время индукции анестезии сопутствующие факторы включали: использование тиопентала, индукцию быстрой последовательности, ожирение, затрудненное управление проходимостью дыхательных путей, NMB и перерывы в подаче анестетика во время движения из анестезиологической комнаты в операционную.При выходе из наркоза остаточный паралич воспринимался пациентами как случайное осознание и обычно был связан с неспособностью обеспечить полное восстановление двигательной способности. Одна треть (43, 33%) случайных событий осведомленности возникла во время поддерживающей фазы анестезии, в основном из-за проблем во время индукции или ближе к концу анестезии. Факторы, повышающие риск случайной осведомленности, включали: женский пол, возраст (молодые люди, но не дети), ожирение, стаж работы анестезиологом (младшие стажеры), предыдущая осведомленность, работа в нерабочее время, неотложные ситуации, тип операции (акушерская, кардиологическая). , грудной), а также использование НМБ.Следующие факторы не были факторами риска случайного осознания: физический статус по ASA, раса, а также употребление или пропуск закиси азота. Мы рекомендуем, чтобы контрольный список анестетиков, который был неотъемлемой частью контрольного списка Всемирной организации здравоохранения по более безопасной хирургии, был введен в качестве средства предотвращения случайного осознания. Этот документ представляет собой сокращенную версию, описывающую основные результаты NAP5 — полный отчет можно найти на http://www.nationalauditprojects.org.uk/NAP5_home. © Автор, 2014. Опубликовано Oxford University Press от имени Британского журнала анестезии.Все права защищены. Для получения разрешений, пожалуйста, напишите по адресу: [электронная почта защищена] / * * /

бесплатных утилит: восстановление паролей, системные утилиты, утилиты рабочего стола

Веб-сайт NirSoft предоставляет уникальную коллекцию небольших и полезных бесплатных утилит, каждая из которых разработана Ниром Софером.
Если вам нужны инструменты для восстановления пароля Windows, щелкните здесь.
Если вам нужны сетевые инструменты, щелкните здесь.
Чтобы просмотреть свой IP-адрес и другую информацию, щелкните здесь.
Чтобы просмотреть все основные блоки IP-адресов, присвоенные вашей стране, щелкните здесь.
Чтобы прочитать блог NirSoft, щелкните здесь.
Чтобы загрузить пакет всех утилит NirSoft (обновляется каждую неделю), перейдите на эту веб-страницу.

См. Также: Инструменты захвата потокового видео, Инструменты реестра Windows, Инструменты поиска домена / IP

Искать на сайте NirSoft:

Вот несколько примеров того, что вы можете найти на веб-сайте NirSoft:

  • Утилиты восстановления пароля
  • Инструменты сетевого мониторинга
    • WirelessNetView — просмотр сведений обо всех беспроводных сетях в вашем районе (SSID, качество сигнала, MAC-адрес и т. Д.)…)
    • Наблюдатель за беспроводной сетью — Показывает, кто подключен к вашей беспроводной сети.
    • BluetoothView — отслеживайте активность Bluetooth вокруг вас.
    • SmartSniff: TCP / IP Sniffer — захват TCP / IP-пакетов на вашем сетевом адаптере и просмотр захваченных данных как последовательности разговоров между клиентами и серверами.
    • CurrPorts: Средство просмотра подключений TCP / IP — Бесплатная программа, отображающая список всех открытых в данный момент портов TCP и UDP на вашем локальном компьютере.
    • AdapterWatch — отображает полезную информацию о ваших сетевых адаптерах: IP-адреса, аппаратный адрес, WINS-серверы, DNS-серверы, значение MTU, количество полученных или отправленных байтов, текущую скорость передачи и многое другое…
    • DownTester — Проверьте скорость загрузки вашего интернет-соединения.
  • Связанные с Интернетом утилиты
    • BrowsingHistoryView: средство просмотра истории веб-браузера — просмотр истории посещенных страниц ваших веб-браузеров (Firefox, Chrome, IE, Edge)
    • IPNetInfo — Найдите всю доступную информацию об IP-адресе: владелец IP-адреса, название страны / штата, диапазон IP-адресов, контактную информацию (адрес, телефон, факс и электронная почта) и многое другое.
    • MyLastSearch — Просматривайте свои последние поисковые запросы с помощью Google, Yahoo и MSN.
    • VideoCacheView — Скопируйте видеофайлы (.flv и другие) из кэша веб-браузера и временной папки.
    • SiteShoter — Сделайте снимок экрана веб-сайта.
    • DNSDataView — просмотр записей DNS указанных доменов.
    • IECookiesView: программа просмотра файлов cookie / менеджер для IE — просмотр / удаление / изменение файлов cookie, которые Internet Explorer сохраняет на вашем компьютере. Узнать больше >>
    • IEHistoryView — просмотр / удаление URL-адресов, которые вы посетили за последние несколько дней.
    • WhoisThisDomain — Получить информацию о зарегистрированном домене.
    • DNSDataView — инструмент поиска DNS.
  • Инструменты MS-Outlook
  • Утилиты командной строки
    • NirCmd: Бесплатная утилита командной строки — Выполняйте некоторые полезные задачи из командной строки: выключите монитор, выключите компьютер, откройте / закройте дверцу дисковода компакт-дисков, наберите номер для подключения к VPN / Интернету, измените настройки дисплея и многое другое !!
    • SoundVolumeView — Управляйте громкостью звука из командной строки или графического интерфейса в Windows 10/7/8/2008.
    • GUIPropView — скрыть, показать, отключить, включить, свернуть, развернуть, изменить размер окон из командной строки.
  • Настольные утилиты
  • Бесплатные системные инструменты
    • ProduKey — Восстановление компакт-диска Office / Windows
    • ShellExView — отображает подробную информацию о расширениях оболочки, установленных на вашем компьютере, и позволяет легко отключать и включать каждое расширение оболочки.
    • WhatInStartup — Добавление, удаление, изменение или отключение программ, запускаемых при запуске Windows.
    • USBDeview — просмотр всех установленных / подключенных USB-устройств в вашей системе.
    • DevManView — Альтернатива диспетчеру устройств Windows.
    • DriverView — Список всех драйверов устройств, загруженных в настоящее время в Windows.
    • RegScanner (сканер реестра) — сканирование и поиск значений в реестре.
    • OpenedFilesView — Просмотр открытых / заблокированных файлов в вашей системе.
    • SysExporter — Захватывайте данные, хранящиеся в стандартных представлениях списков, списках и списках практически из любого приложения, работающего в вашей системе, и экспортируйте их в текстовый, HTML или XML файл.
    • BlueScreenView — Просмотр информации о сбоях, хранящейся в файлах MiniDump, созданных на синем экране Windows.


Что нового


Publikace | FZU

  • «Жидкие кристаллы Онзагера»: новое семейство стержнеобразных мезогенов без гибких цепей

    Журнал химии материалов C 00X (2021) 001-003.

  • Жидкие кристаллы 48 (2021) 43-53.

  • Материалы и устройства, Том 5 (1), (2020) — DOI: 10.23647 / ca.md201

  • Глава «Перовскиты и другие каркасные структурные материалы: новые тенденции и перспективы», редакция М.Б. Смирнов, П. Сен-Грегуар, Publ. by Collaborating Academics IP, — появится в 2020 г. (Франция)

  • Экспериментальная механика 1 (2021) 1-18.

  • П. Лейчек, Я. Чапек, М. Роудницка, О. Мольнарова, Я. Маняк, Х. Духонь, Д. Дворски, М. Коллер, Х.Сейнер, П. Свора, Д. Войтех

    Материаловедение и инженерия A 800 (2021) 140316 (1) -140316 (10).

  • Жидкие кристаллы 48 (2021) 1010-1024.

  • Physica Status Solidi-Rapid Research Letters 1 (2021) 2000411-1-2000411-5.

  • Стефан Швабе, Роберт Ниманн, Аня Бакен, Даниэль Вольф, Кристин Дамм, Тина Вальтер, Хануш Сейнер, О. Хечко, Корнелиус Нильш, Себастьян Фелер

    Расширенные функциональные материалы 09 2020 (2021) 2005715 (1) -2005715 (11).

  • I. Němec, I. Matulková, W. Krumbe, L. Andersen, I. Císařová, J. Kroupa, P. Němec, L. Bohatý, P. Becker.

    Оптические материалы 111 (2021) 110722-.

  • Журнал молекулярных жидкостей 331 (2021) 115723 (1) -115723 (10).

  • Acta Materialia 206 (2021) 116597 (1) -116597 (12).

  • Н. Дагбудж, М. Каллисти, Х.С. Сен, М. Карлик, Я. Чех, М. Вронка, В. Гавранек, Я. Чапек, П.,. Минарик, П.Бабор, Т. Полькар

    Acta Materialia 202 (2021) 317-330.

  • С.С. Арвапалли, М. Мирьяла, П. Сансани, М. Джирса, М. Мураками

    Материаловедение и инженерия B 265 (2021) 115030 (1) -115030 (8).

  • Форум по материаловедению 1016 (2021) 1091-1096.

  • Physical Review Materials 5 (2021) 014404 (1) -014404 (13).

  • Spectrochimica Acta Часть B: Атомная спектроскопия 177 (2021) 106075 (1) -106075 (2).

  • Г. Стехликова, Р. Гьепеш, Р. Быстрицки, М. Шкратек, П. Ванек, Я. Татьерски

    Журнал молекулярной структуры 1230 (2021) 129930 (1) -129930 (8).

  • Поверхностная инженерия 38 (2021) 1-12.

  • Костюченко Н. Терешина, А. Андреев, М. Дорр, Э. Читрова, М.А. Пауков, Д. Горбунов, Г.А. Политова, А.П. Пятаков, А.Мията, О.Драченко, А.К. Звездин, О. Португалл

    IEEE Transactions on Magnetics 57 (2021) 2101105 (1) -2101105 (5).

  • Датчики 21 (2021) 721 (1) -721 (12).

  • А. Помейслова, М. Отмар, П. Рубешова, Я. Бенишек, М. Матушова, Х. Мертликова-Кайзерова, Р. Поль, Л. Поштова-Славетинская, К. Помейсл, М. Кречмерова

    Биоорганическая и медицинская химия 32 (2021) 115998 (1) -115998 (17).

  • М. Пащенко, П. Веверка, Т. Кмеч, О. Каман, Л. Кубичкова, Я. Когоут, М. Клементова, О. Кравчук, А. Вакула, С. Тарапов, Я. Хейтманек, К.Книжек

    Журнал сплавов и соединений 857 (2021) 157569 (1) -157569 (10).

  • Журнал материаловедения 56 (2021) 7464-7473.

  • В. Мортет, А. Тейлор, Н. Ламберт, З. Гедеонова, Л. Фекете, Ю. Лоринчик, Л. Климша, Ю. Копечек, П. Губик, З. Шобань, А. Лапоса, М. Давыдова, Ю. Вовес, А.Пошта, В.Повольный, П.Хаздра

    Алмаз и сопутствующие материалы 111 (2021) 108223 (1) -108223 (6).

  • APL Materials 9 (2021) 020704 (1) -020704 (22).

  • А. Михальцова, М. Озкан, П. Микула, И. Марек, А. Кнаислова, Я. Копечек, Д. Войтех

    Molecules 25 (2021) 2263-1-2263-16.

  • Оптика и лазерные технологии 133 (2021) 106532-1-106532-5.

  • М. Майндлхумер, Л. Брандт, Й. Залесак, М. Розенталь, Х. Хруби, Й. Копечек, Э. Сальвати, К. Миттерер, Р. Даниэль, Й. Тодт, Й. Кекес, А. Корсунский

    Материалы и дизайн 198 (2021) 109365-1-109365-16.

  • М. Вандровцова, З. Толде, П. Ванек, В. Нехасил, М. Дубкова, М. Травничкова, Я. Драгокупил, Э. Буйшадерас, Ф. Бородавка, Я. Новакова, Л. Бачакова

    Покрытия 11 (2021) 210 (1) -210 (23).

  • IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectric, and Frequency Control 68 (2021) 314-324.

  • Биоэлектрохимия 137 (2021) 107646 (1) -107646 (12).

  • Химия и физика материалов 264 (2021) 124455 (1) -124455 (6).

  • Я. Кубасек, О. Мольнарова, Я. Чапек, К. Барта, Я. Чижек, П. Долежал, Я. Ракек, Я. Кауфамн, Я. Жидки, П. Лейчек

    Характеристики материалов 174 (2021) 111037 (1) -111037 (9).

  • Physical Review B 103 (2021) 035419 (1) -035419 (16).

  • Я. Железны, З. Фанг, К. Олейник, Я. Патчетт, Ф. Герхард, К. Гулд, Л. В. Моленкамп, К. Гомес-Оливелла, Я. Земен, Т. Тихи, Т. Юнгвирт, К. Чиккарелли

    Phys.Ред. B в печати, arXiv: 2102.12838

  • Жидкие кристаллы 48: 4 (2021) 526-536.

  • Physical Review Research 3 (2021) 023013 (1) -023013 (12).

  • Chem. Англ. J. 418 (2021) 129380

  • Журнал сплавов и соединений 872 (2021) 159709 (1) -159709 (6).

  • Physical Review B 103 (2021) 125136 (1) -125136 (12).

  • Мария Кречмарова, М. Гулька, Тийс Ванденрит, Ярослав Грубый, Л.Фекете, П. Хубик, А. Тейлор, В. Мортет, Рональд Тоелен, Эмили Буржуа, Милош Несладек

    Прикладные материалы и интерфейсы ACS 13 (2021) 18500-18510.

  • Журнал магнетизма и магнитных материалов 532 (2021) 167983 (1) -167983 (9).

  • Fusion Engineering and Design 168 (2021) 112398-.

  • Глава 11 в технологиях терагерцевого (ТГц), среднего инфракрасного (MIR) и ближнего инфракрасного (NIR) диапазона для защиты критических инфраструктур от взрывчатых веществ и CBRN, Наука НАТО за мир и безопасность, Серия B: Физика и биофизика, Springer, 2021, стр. .145-151

  • Технологии терагерцового (ТГц), среднего инфракрасного (MIR) и ближнего инфракрасного (NIR) диапазона для защиты критических инфраструктур от взрывчатых веществ и CBRN, Мауро Ф. Перейра, Апостолос Апостолакис (ред.), Springer, Нидерланды, (2021).

  • Глава 8 в технологиях терагерцового (ТГц), среднего инфракрасного (MIR) и ближнего инфракрасного (NIR) диапазона для защиты критических инфраструктур от взрывчатых веществ и CBRN. НАТО «Наука во имя мира и безопасности». Серия B: Физика и биофизика.Springer, Нидерланды, 2021, стр. 101-116

  • Acta Crystallographica Section A A77 (2021) 196-207.

  • З. Вайс, Ф. Консепсьон-Мейри, Дж. К. Пикеринг, П. Смид

    Spectrochimica Acta Часть B: Атомная спектроскопия 180 (2021) 106208 (1) -106208 (12).

  • Журнал молекулярных жидкостей 336 (2021) 116267 (1) -116267 (9).

  • Наноматериалы 11 (2021) 1287 (1) -1287 (8).

  • .

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *